时间：2025/12/25 6:02:03
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2SJ291是一种P沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高可靠性和高性能的电子电路中。这种晶体管通常用于电源管理、开关电路以及音频放大器等应用。2SJ291的封装形式通常是TO-220，适合用于各种电子设备中。
类型：P沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：3A
导通电阻(Rds(on))：约0.55Ω（在Vgs=10V时）
功率耗散(Pd)：40W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220
2SJ291具有较低的导通电阻，这使得它在导通状态下能够有效地降低功率损耗，提高系统的效率。该器件具有较高的耐压能力，可以承受较高的漏源电压，适用于多种电源管理和开关应用。此外，2SJ291的封装形式TO-220便于安装和散热，有助于提高器件的稳定性和可靠性。
在温度特性方面，2SJ291能够在较宽的温度范围内正常工作，从-55°C到150°C，这使得它非常适合用于恶劣环境条件下的应用。此外，该器件的栅极驱动要求相对较低，可以在较宽的栅源电压范围内保持良好的性能。
2SJ291常用于电源转换器、直流-直流转换器、负载开关、电机控制以及音频放大器等应用。在电源管理领域，它可以用来作为开关元件，实现高效的能量转换。在音频放大器中，2SJ291可以用于构建输出级，提供足够的电流驱动能力。此外，该器件也适用于电池供电设备中的电源管理模块。
2SJ355, 2SJ113
