型号：2SJ289
　　极性：P沟道
　　漏源电压（VDS）：-30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：-4.1A（@ VGS = -10V）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-12A
　　导通电阻（RDS(on)）：45mΩ（@ VGS = -10V）
　　导通电阻（RDS(on)）：60mΩ（@ VGS = -4.5V）
　　阈值电压（Vth）：-1.0V ~ -2.5V
　　输入电容（Ciss）：700pF（@ VDS = -15V）
　　输出电容（Coss）：350pF（@ VDS = -15V）
　　反向传输电容（Crss）：100pF（@ VDS = -15V）
　　开启延迟时间（td(on)）：15ns
　　关闭延迟时间（td(off)）：35ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23

2SJ289作为一款高性能P沟道MOSFET，具备多项优异的技术特性，使其在现代电子系统中成为关键的功率开关元件。首先，其-30V的漏源电压额定值使其适用于低电压电源系统，例如3.3V、5V及12V供电轨中的开关控制。该器件的低导通电阻是其核心优势之一，在VGS为-10V时，RDS(on)仅为45mΩ，而在实际应用中常见的-4.5V驱动条件下也能保持60mΩ的低阻值，显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体能效。
　　其次，2SJ289采用了先进的硅栅极工艺，确保了器件在高频开关操作下的稳定性与可靠性。其较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss为700pF）使得驱动电路所需功耗更低，特别适合由逻辑电平信号直接驱动的应用场景，无需额外的电平移位或复杂驱动电路。这不仅简化了系统设计，还减少了外围元件数量，有助于缩小PCB面积并降低成本。
　　第三，该器件具备良好的热性能和过载承受能力。其最大工作结温可达+150°C，可在高温环境下持续运行，适用于工业控制、车载电子等严苛环境。同时，器件内部结构经过优化，具有较高的雪崩能量耐受能力，增强了在瞬态过压或负载突变情况下的鲁棒性。
　　此外，2SJ289的SOT-23封装形式具有体积小、重量轻、易于自动化贴装的优点，非常适合空间受限的便携式设备。其引脚兼容性也较好，便于替换其他同类P-MOSFET产品。综合来看，2SJ289凭借其低导通电阻、高开关速度、良好热稳定性和紧凑封装，成为众多低电压、中等电流功率开关应用中的理想选择。

2SJ289主要应用于需要高效、紧凑型P沟道MOSFET的各种电子系统中。常见用途包括便携式电子设备中的电源管理模块，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电池供电切换与负载开关控制。在这些设备中，2SJ289可用于实现系统的软启动、待机模式下的电源隔离以及多电源路径之间的切换管理，有效延长电池续航时间。
　　另一个重要应用是在DC-DC转换器中作为高端开关使用。由于其P沟道特性，无需复杂的自举电路即可实现上桥臂驱动，简化了同步降压或升压转换器的设计流程，尤其适用于输入电压较低的场合。此外，2SJ289也可用于电机驱动电路中的H桥结构，配合N沟道MOSFET完成方向控制和制动功能。
　　在工业控制系统中，该器件可用于传感器电源控制、继电器驱动接口以及I/O端口的电平切换。其快速的开关响应时间和稳定的电气特性确保了控制信号的准确传递。同时，在USB电源开关、充电管理单元和LED背光驱动电路中，2SJ289也因其低静态功耗和高可靠性而被广泛采用。
　　此外，2SJ289还可用于过流保护电路、热插拔控制器以及电池反接保护电路中，利用其可控导通特性防止系统因异常电流或电压冲击而损坏。总体而言，2SJ289适用于所有要求低功耗、高集成度和高可靠性的低压功率开关应用场景。

SSM3J289R,DMG2304U,MCH6405,LTC2955