型号：2SJ289-TD
　　极性：P沟道
　　漏源电压（VDS）：-30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：-5.0A（@ VGS = -10V）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-14A
　　功耗（PD）：1.25W
　　导通电阻 RDS(on)：45mΩ（@ VGS = -10V）
　　阈值电压 VGS(th)：-1.0V ~ -2.5V
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOP-8

2SJ289-TD具备优异的电气特性和热稳定性，是专为高效功率开关应用而优化的P沟道MOSFET。其最大漏源电压为-30V，能够满足大多数低压直流系统的使用需求，如3.3V、5V和12V供电系统。器件在VGS为-10V时，典型的导通电阻仅为45mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体能效，尤其适用于电池供电设备以延长续航时间。
　　该器件的栅极阈值电压范围为-1.0V至-2.5V，确保了在较低控制电压下也能可靠开启，增强了与逻辑电平信号的兼容性。此外，2SJ289-TD具有快速的开关速度，上升时间和下降时间均处于较低水平，有助于减少开关过程中的能量损耗，提升高频工作时的效率，因此非常适合用于DC-DC转换器和同步整流电路。
　　封装方面，SOP-8的小型化设计不仅节省了PCB空间，还通过优化引脚布局改善了散热性能。内部结构采用先进的沟道技术，提高了载流子迁移率和击穿耐受能力。器件支持高达-14A的脉冲漏极电流，表明其具备较强的瞬态负载承受能力，可在启动或突加负载等工况下保持稳定运行。
　　2SJ289-TD还具备良好的抗雪崩能力和静电放电（ESD）保护特性，增强了在复杂电磁环境下的可靠性。其工作结温范围从-55°C到+150°C，使其可在严苛的工业环境或高温条件下长期稳定工作。所有材料符合RoHS指令要求，支持无铅回流焊工艺，适应现代绿色制造流程。

2SJ289-TD常用于各类中低功率电源管理系统中，典型应用场景包括开关电源（SMPS）中的同步整流电路、DC-DC降压或升压转换器、负载开关电路、电机驱动控制模块以及电池供电设备中的电源切换单元。由于其具备低导通电阻和良好的热性能，该器件特别适合用于便携式消费电子产品，如智能手机、平板电脑、移动电源和无线耳机等设备的电源管理部分。此外，在工业自动化控制系统中，它可用于继电器驱动、传感器供电控制和小型执行机构的开关控制。在通信设备中，2SJ289-TD也常被用作热插拔电路或电源路径管理的开关元件，确保系统在不断电情况下安全接入或断开模块。其高可靠性与紧凑封装也使其适用于汽车电子中的辅助电源系统，例如车载信息娱乐设备或小型DC-DC模块。总之，凡需高效、小型化P沟道MOSFET进行电源开关控制的应用场合，2SJ289-TD都是一个理想选择。

SI7155DP-T1-E3
　　FDN360BP
　　AON7408