时间：2025/8/2 6:48:15
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2SJ287是一款P沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），常用于功率放大器、开关电源、DC-DC转换器等应用中。这款MOSFET具有较高的耐压能力和较低的导通电阻，适合在需要高可靠性和高效率的电路中使用。
类型：P沟道增强型MOSFET
最大漏极电压（Vds）：-20V
最大栅极电压（Vgs）：±10V
最大漏极电流（Id）：-3A
导通电阻（Rds(on)）：约0.16Ω
最大功耗（Pd）：20W
封装形式：TO-220
工作温度范围：-55°C至150°C
2SJ287的主要特性包括其低导通电阻和高耐压能力，使其在高效率功率转换电路中表现出色。其P沟道结构使其在栅极电压为负时能够导通，适用于多种开关应用。
这款MOSFET的TO-220封装形式提供了良好的散热性能，确保在高电流工作条件下仍能保持稳定。此外，2SJ287的开关速度较快，能够减少开关损耗，提高整体系统效率。
该器件的栅极驱动要求相对简单，适合与多种控制电路配合使用。由于其较高的可靠性和稳定性，2SJ287常用于工业控制、电源管理和音频放大器等场合。
在设计中使用2SJ287时需要注意适当的散热设计，以防止因过热而导致性能下降或损坏。此外，确保栅极电压不超过额定范围，以避免损坏器件。
2SJ287广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动器、功率放大器以及各种需要高效功率控制的电路中。其高可靠性和良好的电气特性使其成为许多电子设计中的理想选择。
2SJ288, 2SJ289, IRF9Z24N
