时间：2025/9/7 13:23:14
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2SJ279STR 是一款由东芝（Toshiba）制造的P沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理和开关应用。这款MOSFET具有较高的可靠性和较低的导通电阻，适用于各种高效率电源转换系统。
类型：P沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：-15A
最大漏-源极电压（VDS）：-60V
最大栅-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：约0.045Ω（典型值）
功率耗散（PD）：80W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-220
2SJ279STR 具备低导通电阻的特性，这使得它在导通状态下能够保持较低的功耗，从而提高整体电源转换效率。
其P沟道结构设计适合用于高端开关应用，例如直流-直流转换器、电机控制器和负载开关。
该MOSFET的高电流承载能力和良好的热稳定性，使其在高温环境下仍能稳定工作。
此外，2SJ279STR 的封装形式为TO-220，具有良好的散热性能，适合用于高功率密度的设计中。
其栅极驱动电压范围较宽，可在-10V至-20V之间工作，方便与多种驱动电路配合使用。
器件具备较高的耐用性和抗干扰能力，能够承受瞬时过载和电压尖峰，适用于工业和汽车电子等严苛环境。
2SJ279STR 主要用于电源管理系统，如高边开关、DC-DC转换器、电池充电器和负载控制电路。
它也广泛应用于电机驱动系统和不间断电源（UPS）设备中。
由于其高可靠性和良好的导热性能，该MOSFET还适用于汽车电子系统，例如车载充电系统和电源分配模块。
此外，2SJ279STR 还可用于工业控制设备、自动化系统和电源管理模块中，提供高效的功率开关功能。
Si9410BDY-T1-E3, IRF9Z24N, FDP6636, 2SJ162
