型号：2SJ264
　　极性：P沟道
　　最大漏源电压（Vds）：-50V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：-1.8A（@Ta=25℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：-4.5A
　　功耗（Pd）：1W（@Ta=25℃）
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围（Tstg）：-55℃ ~ +150℃
　　导通电阻（Rds(on)）：0.075Ω（@Vgs=-10V）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.1Ω（@Vgs=-5V）
　　阈值电压（Vgs(th)）：-1V ~ -2.5V
　　输入电容（Ciss）：330pF（@Vds=-10V）
　　输出电容（Coss）：140pF（@Vds=-10V）
　　反向传输电容（Crss）：40pF（@Vds=-10V）
　　封装类型：SOT-23

2SJ264作为一款高性能P沟道MOSFET，具备多项优异的技术特性，使其在众多功率开关应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）是其核心优势之一。在Vgs = -10V时，Rds(on)仅为75mΩ，而在Vgs = -5V时也仅达到100mO，这一特性显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率，特别适用于电池供电设备和节能型电源设计。低Rds(on)还意味着在大电流通过时产生的热量较少，有助于简化散热设计，提升系统可靠性。
　　其次，2SJ264采用了SOT-23小型封装，体积小巧，便于在高密度印刷电路板上布局，尤其适合智能手机、平板电脑、可穿戴设备等对空间要求极为严格的便携式电子产品。尽管封装尺寸小，但其热性能经过优化，能够在1W的最大功耗下稳定运行，满足大多数中低功率应用的需求。
　　第三，该器件具有良好的开关特性。其输入电容（Ciss）为330pF，输出电容（Coss）为140pF，反向传输电容（Crss）为40pF，这些参数保证了较快的开关速度和较低的驱动功率需求，适用于高频开关应用如同步整流、DC-DC转换器等。同时，较低的栅极电荷（Qg）进一步提升了开关效率，减少了开关过程中的能量损耗。
　　此外，2SJ264具备宽泛的工作温度范围（-55℃至+150℃），可在恶劣环境条件下稳定运行，适用于工业控制、汽车电子等对环境适应性要求较高的场合。其栅源电压耐受能力达到±20V，增强了器件在瞬态电压冲击下的鲁棒性。内置的体二极管也提供了反向电流路径，在感性负载切换时起到保护作用。
　　最后，该器件符合RoHS环保标准，采用无铅封装工艺，支持现代电子产品对绿色环保的要求。综合来看，2SJ264凭借其低导通电阻、小型化封装、优良的开关性能和高可靠性，成为P沟道MOSFET中的经典型号之一。

2SJ264广泛应用于多种电子电路中，尤其适合需要高效、小型化功率控制的场景。常见应用包括便携式电子设备中的电源开关和负载管理，例如智能手机、平板电脑和蓝牙耳机中的电池供电控制电路。在这些设备中，2SJ264常被用作高边开关，控制电源的通断，利用其P沟道特性实现简单可靠的驱动逻辑，无需额外的电平转换或自举电路。
　　在DC-DC转换器中，2SJ264可用于同步整流拓扑，作为低端开关管与N沟道MOSFET配合使用，提高转换效率并减少发热。其低导通电阻和快速开关特性有助于降低传导损耗和开关损耗，从而提升电源模块的整体效能。
　　此外，该器件也适用于电机驱动电路，尤其是在微型直流电机或步进电机的控制中，作为H桥电路的一部分，实现方向控制和启停功能。由于其能够承受一定的脉冲电流（最高达-4.5A），因此在瞬态负载下仍能保持稳定工作。
　　在工业控制领域，2SJ264可用于继电器驱动、LED驱动、传感器电源控制等低功率开关应用。其宽工作温度范围和高可靠性确保了在复杂电磁环境和温度波动下的长期稳定运行。
　　其他典型应用还包括USB电源开关、充电管理电路、电池保护板（Battery Protection Circuit）、逆变器控制以及各类嵌入式系统的电源管理单元。由于其SOT-23封装易于自动化贴片生产，因此非常适合大规模量产的消费类电子产品。

SI2301, FDN302P, AO3401, ZXM61P02, BSS84