型号：2SJ255
　　极性：P沟道
　　最大漏源电压（VDS）：-60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：-3.0A（@TC=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-12A
　　功耗（PD）：1.25W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　导通电阻（RDS(on)）：45mΩ（@VGS=-10V, ID=-2.0A）
　　阈值电压（VGS(th)）：-1.0V ~ -2.5V
　　输入电容（Ciss）：380pF（@VDS=-25V, VGS=0V, f=1MHz）
　　输出电容（Coss）：140pF
　　反向传输电容（Crss）：40pF

2SJ255 P沟道MOSFET具备多项优异的电气与物理特性，使其在多种低至中等功率应用中表现出色。首先，其-60V的最大漏源电压允许它在较宽的电压范围内稳定工作，适用于12V、24V甚至更高电压等级的电源系统中的开关控制。同时，该器件具有较低的导通电阻（典型值为45mΩ @ VGS = -10V），这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的能效，尤其在电池供电设备中显得尤为重要。此外，2SJ255的阈值电压范围为-1.0V到-2.5V，使得它能够在较低的栅极驱动电压下实现可靠的开关动作，兼容3.3V或5V逻辑电平控制，便于与微控制器或其他数字IC直接接口。
　　另一个关键优势是其封装形式采用了小型化表面贴装技术（如SOT-23），不仅节省了PCB空间，还提升了自动化生产效率，非常适合高密度集成的现代电子产品。该器件还具备良好的热稳定性与抗冲击能力，能够在-55°C至+150°C的结温范围内长期可靠运行，适应各种严苛的工作环境。内部结构经过优化设计，减少了寄生电容和电感效应，从而改善了开关速度并降低了电磁干扰（EMI）。此外，2SJ255具有较强的雪崩耐受能力和优秀的抗静电（ESD）保护性能，增强了在突发过压或瞬态事件下的鲁棒性。综合来看，这些特性使2SJ255成为电源开关、负载切换、逆变器驱动以及DC-DC变换器等应用中的理想选择。

2SJ255广泛应用于各类需要高效、紧凑型功率开关的电子系统中。常见用途包括便携式电子设备中的电源管理模块，例如智能手机和平板电脑中的电池充放电控制电路、背光驱动电路以及外设电源开关。在这些场景中，利用其P沟道特性可方便地实现高端开关功能，无需额外的电荷泵电路即可完成对负载的有效控制。此外，2SJ255也常用于DC-DC降压或升压转换器的同步整流部分，通过降低导通损耗来提升转换效率，延长电池续航时间。
　　在工业控制领域，该器件可用于小型继电器驱动、电机启停控制以及传感器供电管理等场合，凭借其快速响应能力和高可靠性确保系统稳定运行。在消费类家电如电视、音响、路由器等产品中，2SJ255可用于主电源的软启动电路或待机电源的开关控制，帮助实现节能待机模式。另外，由于其良好的温度特性和抗干扰能力，也被应用于汽车电子中的低功耗辅助系统，比如车载信息娱乐系统的电源切换或灯光控制模块。总之，凡是需要小体积、低功耗、高效率P沟道MOSFET的地方，2SJ255都是一个极具竞争力的选择。

SI2301, FDN302P, MC7907, BSS84