2SJ246STR 时间：2025/9/7 17:56:51 阅读：9

2SJ246STR 是一款由东芝（Toshiba）制造的P沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），常用于需要高效率和高可靠性的电源管理应用。该器件采用小型SOP（Small Outline Package）封装，适用于便携式设备、电源开关、DC-DC转换器和负载开关等应用。2SJ246STR 的设计优化了导通电阻（Rds(on)）和栅极电荷（Qg）之间的平衡，以实现高效的开关性能和较低的导通损耗。

参数

类型：P沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：-30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：-4.4A
　　导通电阻（Rds(on)）：32mΩ（典型值，Vgs=-10V）
　　栅极电荷（Qg）：15nC（典型值）
　　功耗（Pd）：2W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：SOP-8

特性

2SJ246STR 的主要特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗，提高系统效率。在Vgs为-10V时，其典型Rds(on)值为32mΩ，使其适用于中高功率的开关应用。
　　此外，该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg）值为15nC，这有助于减少开关损耗，从而提高高频应用的效率。这种特性使其非常适合用于DC-DC转换器、同步整流和负载开关等场景。
　　该器件采用SOP-8封装，体积小巧，适合对空间有限制的便携式电子设备使用。SOP封装也具有较好的热性能，可以在适当的散热条件下承受较高的功率。
　　2SJ246STR 的漏源电压为-30V，允许在多种低压电源管理应用中使用，例如电池供电系统、电机控制、LED驱动器和电源管理系统。此外，其±20V的栅源电压耐受能力使其在驱动电路设计上更加灵活，能够兼容多种驱动电压源。
　　这款MOSFET的可靠性和稳定性也值得一提。其工作温度范围宽达-55°C至+150°C，适合在各种工业和消费类应用中使用。在高温环境下仍能保持稳定的性能，确保系统长时间运行的可靠性。

应用

2SJ246STR 主要应用于以下领域：电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动电路、电池供电设备、LED照明驱动电路、同步整流器、便携式电子产品（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑）中的电源管理模块。此外，它也常用于工业自动化设备、传感器控制电路和电源适配器等需要高效能P沟道MOSFET的场合。