时间：2025/9/7 14:03:39
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2SJ244JYTR是一款P沟道场效应晶体管（MOSFET），通常用于高频开关电路、电源管理以及音频放大等应用。该晶体管采用小型化表面贴装封装（如SOT-23或类似封装），具有较高的可靠性和较低的导通电阻，适用于低电压、中功率的电子设备中。
类型：P沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：-150mA
最大漏源电压（VDS）：-30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：≤5Ω
功率耗散：200mW
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：SOT-23（或类似表面贴装封装）
2SJ244JYTR具有优异的开关性能和低导通电阻，适合在高频条件下使用。其P沟道结构使其在负电压控制电路中表现出色，常用于逻辑电平转换、负载开关和小型DC-DC转换器中。该器件的封装形式便于自动化生产和高密度PCB布局。
此外，2SJ244JYTR具备良好的热稳定性和抗静电能力，能够在多种环境条件下可靠运行。它的栅极驱动电压范围较宽，兼容多种控制电路设计，适用于电池供电设备和便携式电子产品中的节能应用。
在音频放大电路中，该MOSFET能够提供较低的失真和较高的效率，是小功率音频功放设计中的优选器件之一。
2SJ244JYTR广泛应用于便携式电子设备、电源管理模块、DC-DC转换器、逻辑电平转换电路、小型音频放大器、LED驱动电路以及各种低电压开关控制电路中。
2SJ355, 2SJ113, FDN340P
