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2SJ181STL 发布时间 时间:2025/9/7 11:06:32 查看 阅读:25

2SJ181STL是一种P沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于电子设备中的功率控制和开关应用。它由东芝(Toshiba)公司制造,采用小型表面贴装封装(SOT-223),适合高密度电路设计。该晶体管具备低导通电阻、高耐压性和高可靠性,广泛应用于电源管理、负载开关、DC-DC转换器和电池供电设备等领域。

参数

类型:P沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):-100mA
  最大漏源电压(VDS):-50V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):典型值为25Ω(当VGS = -5V时)
  功率耗散(PD):200mW
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装形式:SOT-223

特性

2SJ181STL具备多项优异的电气和物理特性,使其在多种应用中表现出色。首先,它具有低导通电阻(RDS(on)),这使得在导通状态下功率损耗较低,有助于提高系统的整体效率。其次,该器件具有较高的耐压能力,漏源电压(VDS)可达-50V,适用于中等电压的功率控制应用。此外,其栅极电压范围宽,栅源电压(VGS)可达到±20V,增强了器件的稳定性和控制灵活性。该MOSFET采用SOT-223封装,体积小巧,便于在PCB上布局,并具有良好的热管理能力。在可靠性方面,2SJ181STL在宽温度范围内稳定工作,适应各种恶劣环境。其低漏电流和高开关速度也使其适用于高频开关应用。

应用

2SJ181STL广泛应用于多种电子设备和系统中,尤其适合低功耗和小型化设计。在电源管理领域,它常用于负载开关和DC-DC转换器中,实现高效能的能量转换和分配。在电池供电设备中,如便携式电子产品、无线传感器和手持设备,2SJ181STL的低导通电阻和低功耗特性有助于延长电池寿命。此外,该MOSFET也可用于工业控制电路、汽车电子系统、LED驱动器和小型电机控制电路中。由于其封装小巧且具备良好的热性能,它在高密度PCB设计中也具有显著优势。

替代型号

2SJ355, 2SJ103, 2SJ176

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