2SJ175 时间：2025/9/7 18:42:01 阅读：11

2SJ175是一款P沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效率、快速开关性能的电源管理应用。该器件采用TO-220封装，具备较高的耐用性和热稳定性，适用于各类开关电源、DC-DC转换器、电池管理系统以及其他功率控制电路。

参数

类型：P沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：-30A
　　最大漏源电压（VDS）：-60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约55mΩ（典型值，VGS=-10V）
　　功率耗散（PD）：100W
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装形式：TO-220
　　栅极电荷（Qg）：约60nC

特性

2SJ175具备多项优良特性，适合高要求的功率应用。
　　首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。在VGS=-10V时，RDS(on)约为55mΩ，使其能够处理大电流而不产生过多热量。
　　其次，该器件具有较高的额定电流和电压能力，最大漏极电流为-30A，漏源电压额定为-60V，适用于中高功率的负载控制。
　　此外，2SJ175的栅极驱动电压范围宽，最大栅源电压为±20V，增强了其在不同驱动电路中的适应性。其栅极电荷（Qg）约为60nC，确保了较快的开关速度，适用于高频开关应用。
　　在热性能方面，该器件采用TO-220封装，具备良好的散热能力，可支持100W的功率耗散，并可在-55°C至+175°C的温度范围内稳定工作，适用于工业级和汽车级应用场景。
　　最后，2SJ175具备较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定运行，提高系统的可靠性。

应用

2SJ175广泛应用于多种功率电子系统中，主要包括：
　　1. **开关电源（SMPS）**：由于其高效率和低导通电阻，适用于反激式、正激式等拓扑结构的主开关或同步整流开关。
　　2. **DC-DC转换器**：在升降压、同步降压等转换器中作为高边或低边开关使用，提升转换效率。
　　3. **电机驱动电路**：用于H桥结构中的P沟道部分，控制直流电机的转向与制动。
　　4. **电池管理系统**：在电池充放电保护电路中用作主控开关，实现对电流的精确控制。
　　5. **负载开关与电源管理模块**：用于控制电源通断，减少待机功耗，适用于工业控制、通信设备及消费类电子产品。
　　6. **汽车电子系统**：如车载充电器、车灯控制、电池逆变器等场景，得益于其宽工作温度范围和高可靠性。