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2SJ114 发布时间 时间:2025/8/4 19:07:24 查看 阅读:22

2SJ114是一款P沟道场效应晶体管(P-Channel MOSFET),常用于开关电路和功率放大器等应用。该器件采用TO-92封装,适合于低电压、低电流的开关控制场景。2SJ114具备较高的可靠性,广泛应用于消费类电子产品和工业控制设备中。

参数

类型:P沟道MOSFET
  封装类型:TO-92
  漏源电压(VDS):-30V
  栅源电压(VGS):-20V
  连续漏极电流(ID):-0.15A
  功率耗散(PD):300mW
  工作温度范围:-55°C至+150°C

特性

2SJ114是一款基于硅材料的P沟道MOSFET,具有良好的导通特性和较低的静态功耗。
  其栅极绝缘层采用二氧化硅技术,确保了器件的高稳定性和长寿命。
  该晶体管在关断状态下具有极低的漏电流,能够在较高的温度环境下正常工作。
  此外,2SJ114的封装形式为TO-92,体积小巧,便于在印刷电路板(PCB)上安装和布线。
  由于其较低的导通电阻和快速的开关响应时间,2SJ114适用于需要高效能开关操作的电路设计。
  该器件还具备良好的抗静电能力,能够有效防止因静电放电(ESD)导致的损坏。

应用

2SJ114广泛应用于低功率开关电路、逻辑电平转换、负载控制以及小型电子设备中的电源管理模块。
  此外,它还可以用于音频放大器中的偏置控制电路,提供稳定的偏置电压以确保放大器的线性工作。
  在消费类电子产品中,如便携式音响、遥控器和小型电动玩具中,2SJ114常用于控制直流电机的启停和方向切换。
  在工业自动化系统中,它可以作为小型继电器或传感器的驱动开关,实现对负载的精确控制。
  由于其低功耗和高可靠性,2SJ114也适用于电池供电设备中的节能控制电路。

替代型号

2SJ103, 2SJ44, 2SJ55

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