类型：P沟道MOSFET
　　漏极-源极电压(Vds)：-30V
　　栅极-源极电压(Vgs)：±20V
　　漏极电流(Id)：-100mA
　　导通电阻(Rds(on))：最大3Ω（在Vgs=-10V时）
　　栅极电荷(Qg)：5nC
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

2SJ105-BL MOSFET具备多个优良特性，适用于多种电子设计应用场景。首先，该器件具有较低的导通电阻（Rds(on)），确保在导通状态下能够实现高效的电流传输，降低功耗并减少热量产生。这对于电池供电设备尤为重要，因为高效的功率传输可以延长设备的续航时间。
　　其次，2SJ105-BL 的栅极电荷（Qg）较小，使其具备快速开关能力，从而减少开关过程中的能量损耗，提高整体系统的效率。这种特性使其特别适用于需要频繁切换操作的应用，例如DC-DC转换器或PWM（脉宽调制）控制电路。
　　此外，该MOSFET采用SOT-23封装，具有紧凑的尺寸，适合高密度PCB布局，同时具备良好的散热性能。这种封装形式也便于自动化生产和焊接，提高了制造过程的可靠性。
　　最后，2SJ105-BL 拥有较宽的工作温度范围（-55°C 至 +150°C），能够在多种环境条件下稳定运行，适用于工业级和汽车电子等对可靠性要求较高的应用场景。

2SJ105-BL MOSFET由于其优良的电气性能和紧凑的封装形式，被广泛应用于多个领域。在便携式电子产品中，例如智能手机、平板电脑和穿戴设备，它常用于电源管理电路中的负载开关，以控制不同功能模块的供电，从而提高能效和延长电池寿命。
　　在工业控制领域，2SJ105-BL 可用于驱动小型继电器、LED指示灯或低功耗传感器，实现对设备状态的精确控制。同时，它也适用于小型DC-DC转换器，作为高边开关使用，提高转换效率。
　　在汽车电子系统中，该器件可用于车身控制模块（BCM），如车窗控制、灯光控制等，确保系统在恶劣环境下的稳定运行。
　　此外，2SJ105-BL 还广泛应用于各种嵌入式系统和物联网（IoT）设备中，作为低电压、中等电流条件下的开关元件，提供可靠、高效的功率控制解决方案。

2SJ355, 2SJ103, 2SJ170