类型：P沟道FET
　　封装：TO-92
　　最大漏极电流：-0.15A（典型值）
　　最大漏极-源极电压：-30V
　　最大栅极-源极电压：±20V
　　导通电阻：约3Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　阈值电压：-0.4V至-1.0V（典型值）

2SJ104V的P沟道结构使其在负电压下工作，适用于多种开关和放大电路设计。其低阈值电压特性使得该晶体管能够在较低的电压下导通，从而降低功耗并提高能效。此外，该晶体管的导通电阻较低，有助于减少导通状态下的功率损耗。
　　该晶体管的TO-92封装形式使其易于安装在各种电路板上，并具备良好的热稳定性和可靠性。在极端温度条件下，2SJ104V依然能够保持稳定的性能表现。
　　2SJ104V还具备良好的抗静电能力，能够承受一定水平的静电放电，从而减少因静电导致的损坏风险。这种特性使其在电子设备中具备更高的可靠性和耐用性。

2SJ104V广泛应用于低功率开关电路、信号放大电路以及逻辑电平转换电路中。其低阈值电压特性使其适用于电池供电设备和低电压控制系统。此外，该晶体管还可用于驱动小型继电器、LED指示灯和传感器等负载。
　　在音频放大电路中，2SJ104V可用于前级放大或作为缓冲器，提供良好的信号传输性能。在数字电路中，该晶体管可作为开关元件，用于控制信号路径或电源管理。
　　由于其良好的性能和可靠性，2SJ104V还常用于工业控制设备、消费电子产品和通信设备中。例如，在小型电源适配器、充电器和低电压调节器中，该晶体管可以作为主开关元件，提供高效的功率控制。

2SJ104, 2SK596, 2SK1058