类型：NPN
　　极性：NPN
　　最大集电极-发射极电压（Vceo）：80V
　　最大集电极-基极电压（Vcbo）：80V
　　最大发射极-基极电压（Vebo）：5V
　　最大集电极电流（Ic）：3A
　　最大耗散功率（Pc）：40W（带散热器）
　　直流电流增益（hFE）：100～320（典型值，测试条件IC=500mA）
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-126

2SD806具备优良的电流放大能力和较高的电压耐受水平，能够在多种模拟与开关应用中提供稳定可靠的性能表现。其直流电流增益（hFE）范围宽广，通常在100至320之间，这使得它在不同的工作电流下仍能保持较好的线性放大特性，适用于前置放大或推动级电路的设计。该晶体管的最大集电极电流可达3A，最大集电极-发射极电压为80V，能够满足大多数中功率放大需求，例如在音频功放输出级中作为推挽对管之一使用。由于采用了硅材料制造工艺，其热稳定性优于锗晶体管，并且具有较低的漏电流，即使在高温环境下也能维持正常工作。
　　在高频响应方面，2SD806的过渡频率（fT）达到100MHz，表明其具备一定的高速开关能力，可用于频率较高的信号处理场景，尽管它主要定位为低频至中频应用。TO-126封装提供了良好的散热性能，配合合适的散热片可有效降低热阻，延长器件寿命。此外，该封装体积适中，便于手工焊接和自动化装配，适合批量生产使用。值得注意的是，2SD806并非互补配对管，若需构建推挽输出结构，通常需要搭配相应的PNP型晶体管（如2SB807）共同使用，以实现对称的电流驱动能力。
　　在实际应用中，2SD806表现出较强的抗干扰能力和负载适应性，尤其在音频放大电路中能够提供清晰、低失真的输出信号。然而，由于其属于较早时期的分立器件，相较于现代场效应管（MOSFET）或高效率集成电路，其开关速度和能效仍有提升空间。因此，在高效率、小型化要求较高的现代设备中，往往会被更先进的器件所取代。但因其参数明确、性能稳定、价格低廉，依然在教学实验、维修替换及特定工业控制电路中保有广泛应用。

2SD806广泛应用于各类模拟电子电路中，特别是在音频功率放大器中作为输出级晶体管使用，常见于家庭音响系统、收音机、有源音箱等设备中。其较高的电流承载能力和适中的电压规格使其非常适合用作音频信号的末级驱动元件，能够有效推动扬声器负载并输出足够的音量。此外，该晶体管也常用于直流电机控制电路、继电器驱动模块以及开关电源中的线性调节部分，发挥其快速响应和良好线性特性的优势。在工业控制领域，2SD806可用于传感器信号放大、执行机构驱动等场景，尤其是在需要较高可靠性与长期稳定运行的系统中。由于其TO-126封装易于安装散热装置，因此在持续负载条件下也能保持良好性能。另外，该器件还适用于电源稳压电路中的调整管角色，配合反馈网络实现输出电压的精确控制。在教育与实验环境中，2SD806因其参数清晰、操作简单而成为电子工程学生学习晶体管工作原理的理想选择，常用于共发射极放大电路、射极跟随器、多级放大器搭建等实践项目。

MMBT3904
　　BC337
　　2SC2240
　　KSC3503