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2SD796 发布时间 时间:2025/9/22 10:19:01 查看 阅读:7

2SD796是一款P沟道功率MOSFET晶体管,通常用于开关和放大应用。该器件采用高可靠性设计,适用于需要高效率和低导通电阻的电源管理电路。2SD796广泛应用于DC-DC转换器、电源开关、电机驱动以及电池供电设备中。该晶体管封装形式多为TO-252(DPAK)或类似表面贴装封装,有助于良好的热性能和紧凑的PCB布局。作为一款P沟道MOSFET,其主要优势在于简化了高边开关电路的设计,无需额外的驱动电路即可实现负载切换。此外,2SD796具备良好的抗静电能力与热稳定性,适合在工业环境和消费类电子产品中使用。该器件由多家半导体制造商生产,具体参数可能因制造商而略有差异,因此在选型时应参考具体厂商的数据手册以确保符合设计需求。

参数

型号:2SD796
  极性:P沟道
  最大漏源电压(VDS):-30V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):-4.5A(Tc=25°C)
  脉冲漏极电流(IDM):-12A
  最大功耗(PD):20W(Tc=25°C)
  工作结温范围(Tj):-55°C 至 +150°C
  存储温度范围(Tstg):-55°C 至 +150°C
  导通电阻(RDS(on)):典型值45mΩ @ VGS = -10V, ID = -4.5A
  栅极阈值电压(VGS(th)):-1V 至 -2.5V
  输入电容(Ciss):约900pF @ VDS = -15V, VGS = 0V, f = 1MHz
  输出电容(Coss):约300pF
  反向传输电容(Crss):约80pF

特性

2SD796 P沟道MOSFET具备多项关键特性,使其在现代电源管理设计中具有较高的实用价值。首先,其-30V的漏源电压额定值使其适用于低电压电源系统,如12V或24V直流系统中的开关控制。器件的低导通电阻(RDS(on))是其核心优势之一,典型值仅为45mΩ,在大电流条件下可显著降低导通损耗,提高整体能效。这对于电池供电设备尤为重要,有助于延长续航时间并减少发热问题。此外,该器件支持高达-4.5A的连续漏极电流,能够在负载较重的应用中稳定工作。
  另一个重要特性是其栅极驱动电压兼容性良好。2SD796可在-10V至-20V的栅源电压范围内正常工作,且阈值电压较低(-1V至-2.5V),允许使用标准逻辑电平信号进行直接驱动,尤其适合微控制器或专用驱动IC控制的场景。该器件的封装采用TO-252,具有优良的散热性能,能够通过PCB铜箔有效传导热量,从而提升功率处理能力。同时,表面贴装形式便于自动化生产,有利于提高组装效率和产品一致性。
  2SD796还具备良好的开关特性,包括较低的输入、输出和反馈电容,这使得其在高频开关应用中表现出色,开关速度较快,动态损耗小。此外,器件内置体二极管,可用于续流或防止反向电流损坏负载。其工作结温范围宽达-55°C至+150°C,保证了在严苛环境下的可靠运行,适用于工业控制、汽车电子和通信设备等对稳定性要求高的领域。综合来看,2SD796凭借其高效率、高可靠性及良好的热性能,成为许多低电压高电流开关应用中的优选器件。

应用

2SD796广泛应用于多种电源管理和功率控制场景。常见用途包括DC-DC降压或升压转换器中的高边开关,特别是在同步整流拓扑中,利用其低导通电阻实现高效能量转换。在电池供电系统中,如便携式仪器、电动工具和UPS不间断电源中,2SD796常被用作电源通断控制开关,实现低静态功耗和快速响应。此外,该器件也适用于电机驱动电路,作为H桥结构中的P沟道部分,用于控制小型直流电机的方向与启停。
  在消费类电子产品中,2SD796可用于LCD背光驱动、电源管理单元(PMU)以及USB电源开关等模块,提供可靠的负载切换功能。工业控制系统中,该器件可用于继电器替代方案或固态开关,提升系统响应速度和寿命。由于其具备良好的热稳定性和抗干扰能力,2SD796也可用于汽车电子系统中的车载电源分配、车灯控制或传感器供电模块。此外,在服务器和通信设备的冗余电源设计中,P沟道MOSFET常用于OR-ing电路,防止电源倒灌,2SD796因其电气特性适合作为此类应用的候选器件。总之,凡涉及低压大电流开关控制的场合,2SD796均具备较强的适用性。

替代型号

Si4435DY
  FDS6670A
  IRF4905

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