型号：2SD796
　　极性：P沟道
　　最大漏源电压（VDS）：-30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：-4.5A（Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-12A
　　最大功耗（PD）：20W（Tc=25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值45mΩ @ VGS = -10V, ID = -4.5A
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：-1V 至 -2.5V
　　输入电容（Ciss）：约900pF @ VDS = -15V, VGS = 0V, f = 1MHz
　　输出电容（Coss）：约300pF
　　反向传输电容（Crss）：约80pF

2SD796 P沟道MOSFET具备多项关键特性，使其在现代电源管理设计中具有较高的实用价值。首先，其-30V的漏源电压额定值使其适用于低电压电源系统，如12V或24V直流系统中的开关控制。器件的低导通电阻（RDS(on)）是其核心优势之一，典型值仅为45mΩ，在大电流条件下可显著降低导通损耗，提高整体能效。这对于电池供电设备尤为重要，有助于延长续航时间并减少发热问题。此外，该器件支持高达-4.5A的连续漏极电流，能够在负载较重的应用中稳定工作。
　　另一个重要特性是其栅极驱动电压兼容性良好。2SD796可在-10V至-20V的栅源电压范围内正常工作，且阈值电压较低（-1V至-2.5V），允许使用标准逻辑电平信号进行直接驱动，尤其适合微控制器或专用驱动IC控制的场景。该器件的封装采用TO-252，具有优良的散热性能，能够通过PCB铜箔有效传导热量，从而提升功率处理能力。同时，表面贴装形式便于自动化生产，有利于提高组装效率和产品一致性。
　　2SD796还具备良好的开关特性，包括较低的输入、输出和反馈电容，这使得其在高频开关应用中表现出色，开关速度较快，动态损耗小。此外，器件内置体二极管，可用于续流或防止反向电流损坏负载。其工作结温范围宽达-55°C至+150°C，保证了在严苛环境下的可靠运行，适用于工业控制、汽车电子和通信设备等对稳定性要求高的领域。综合来看，2SD796凭借其高效率、高可靠性及良好的热性能，成为许多低电压高电流开关应用中的优选器件。

2SD796广泛应用于多种电源管理和功率控制场景。常见用途包括DC-DC降压或升压转换器中的高边开关，特别是在同步整流拓扑中，利用其低导通电阻实现高效能量转换。在电池供电系统中，如便携式仪器、电动工具和UPS不间断电源中，2SD796常被用作电源通断控制开关，实现低静态功耗和快速响应。此外，该器件也适用于电机驱动电路，作为H桥结构中的P沟道部分，用于控制小型直流电机的方向与启停。
　　在消费类电子产品中，2SD796可用于LCD背光驱动、电源管理单元（PMU）以及USB电源开关等模块，提供可靠的负载切换功能。工业控制系统中，该器件可用于继电器替代方案或固态开关，提升系统响应速度和寿命。由于其具备良好的热稳定性和抗干扰能力，2SD796也可用于汽车电子系统中的车载电源分配、车灯控制或传感器供电模块。此外，在服务器和通信设备的冗余电源设计中，P沟道MOSFET常用于OR-ing电路，防止电源倒灌，2SD796因其电气特性适合作为此类应用的候选器件。总之，凡涉及低压大电流开关控制的场合，2SD796均具备较强的适用性。

Si4435DY
　　FDS6670A
　　IRF4905