时间：2025/12/27 7:52:56
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2SD669AG-D-AB3-R是一款由东芝（Toshiba）生产的NPN型双极性晶体管（BJT），主要用于音频放大、功率开关以及通用模拟电路应用。该器件采用小型表面贴装封装（S-Mini），适合高密度PCB布局，广泛应用于消费类电子产品、便携式设备和小型电源系统中。作为一款中功率晶体管，2SD669AG-D-AB3-R具备较高的直流电流增益和良好的频率响应特性，能够在较宽的温度范围内稳定工作，适用于需要可靠性和紧凑设计的应用场景。该型号后缀中的“-D”表示其为符合RoHS标准的无铅产品，“AB3”代表特定的卷带包装规格，而“-R”则表明其为卷带编带包装，适合自动化贴片生产流程。该器件通常用于替代传统通孔封装的中功率晶体管，在保持性能的同时实现更小的占用空间和更高的组装效率。
类型：NPN
集电极-发射极电压（VCEO）：80V
集电极-基极电压（VCBO）：80V
发射极-基极电压（VEBO）：5V
集电极电流（IC）：3A
功耗（PD）：1W
直流电流增益（hFE）：200～400（在IC=500mA条件下）
过渡频率（fT）：100MHz
工作结温范围（Tj）：-55℃～+150℃
封装形式：S-Mini（Surface Mount Mini Package）
2SD669AG-D-AB3-R具备优异的电流驱动能力和稳定的增益表现，其直流电流增益（hFE）在典型工作条件下可达到200至400之间，确保在低输入信号下仍能实现高效的电流放大，特别适用于前置放大级和驱动级电路设计。
该晶体管具有较低的饱和压降（VCE(sat)），在IC接近3A时仍能保持较小的导通损耗，提高了电源效率并减少了散热需求，适合用于开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等功率控制场合。
其100MHz的过渡频率（fT）使其在音频频段内具有良好的频率响应，能够有效处理高达数十兆赫兹的信号，适用于宽带放大器或高速开关应用。
S-Mini封装不仅体积小巧，还具备良好的热传导性能，能够在1W的功耗下通过PCB铜箔进行有效散热，满足大多数中等功率应用场景的需求。
器件符合AEC-Q101汽车电子可靠性标准（视具体批次而定），增强了其在工业与车载环境中的适用性。此外，无铅和绿色材料设计使其符合现代环保法规要求，支持无铅回流焊工艺，兼容主流SMT生产线。
该晶体管还具有较高的二次击穿耐受能力，能在瞬态过载情况下保持一定鲁棒性，提升了系统整体的可靠性。
2SD669AG-D-AB3-R广泛应用于各类需要中等功率放大的电子设备中，包括但不限于音频功率放大器、小型音响系统、耳机放大器和有源滤波器等模拟信号处理电路。
在电源管理领域，常被用作线性稳压器的调整管、DC-DC升压/降压电路中的开关元件，以及LED驱动电路中的恒流控制部分。
由于其高电流承载能力和快速响应特性，也适用于继电器驱动、小型电机控制和电磁阀开关等工业控制应用。
在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能音箱和家用电器中，该器件可用于电源切换、电池管理模块和传感器驱动接口。
此外，因其小型化封装和自动化装配兼容性，成为现代电子产品批量制造中的优选器件之一，尤其适合对空间和重量敏感的设计。
2SD669AK-D-AB3-R
2SD1820AFU-AT1-R
BC817-40
MJD31C
