晶体管类型：NPN型双极性晶体管
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（VCE）：50V
　　最大集电极-基极电压（VCB）：50V
　　最大功耗（PD）：150mW
　　最大工作温度：150°C
　　封装类型：SOT-23
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：110~800（根据等级不同）

2SD2601 拥有出色的高频响应特性，适用于射频和中频放大电路。其高频特性使得该晶体管可以在高达100MHz的频率范围内稳定工作。
　　此外，该器件的噪声系数较低，适合用于需要高信号完整性的前置放大器设计。
　　由于采用SOT-23封装，2SD2601具有较小的物理尺寸，非常适合用于高密度PCB布局设计。
　　该晶体管的电流增益（hFE）范围较宽，从110到800不等，具体数值取决于器件的等级（例如O档、Y档、GR档、BL档等），这为设计者提供了灵活的选择。
　　其集电极-发射极电压（VCE）额定值为50V，能够在中等电压环境下可靠运行。
　　同时，该器件的功耗较低，仅150mW，有助于降低系统整体功耗并提高能效。
　　2SD2601具备良好的热稳定性和可靠性，适用于工业级和消费类电子产品。

2SD2601 常用于射频和中频放大器电路，例如在无线通信设备、FM接收器、电视机调谐器和音频前置放大器中。
　　它也适用于低噪声放大器（LNA）设计，用于提高信号接收灵敏度。
　　此外，该晶体管可作为开关元件用于数字电路和逻辑控制电路中。
　　在音频放大系统中，2SD2601 可作为前置放大级或驱动级使用，提供良好的信号增益和失真控制。
　　由于其小型封装和表面贴装特性，该器件也广泛应用于便携式电子设备、传感器接口电路和各类嵌入式系统中。

2N3904, BC547, 2SC3199, 2SD2600