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2SD2391T100Q 发布时间 时间:2025/4/3 15:36:24 查看 阅读:2

2SD2391T100Q是一款高性能的NPN型双极性晶体管,主要用于高频和高功率应用。该器件采用了先进的制造工艺,确保了其在高频工作条件下的稳定性和可靠性。其设计旨在满足通信设备、工业控制和其他电子系统中对大电流驱动和高频开关的需求。
  该晶体管具有低饱和电压、高增益和良好的热稳定性,适用于各种放大器和开关电路。此外,它还具有较高的集电极-发射极击穿电压,使其能够在较高电压条件下可靠运行。

参数

集电极-发射极击穿电压(Vce):80V
  集电极最大电流(Ic):4A
  直流电流增益(hFE):最小值60,典型值150
  集电极-基极击穿电压(Vcb):70V
  发射极-基极击穿电压(Veb):5V
  最大功耗(Ptot):75W
  工作温度范围(Tamb):-55℃ 至 +150℃
  过渡频率(ft):300MHz

特性

1. 高频性能:其300MHz的过渡频率使得该晶体管非常适合高频应用。
  2. 大电流处理能力:能够承受高达4A的集电极电流,适合用于驱动大负载。
  3. 低饱和电压:保证了高效的能量转换和较低的功耗。
  4. 高增益:提供了良好的信号放大效果。
  5. 良好的热稳定性:即使在高温环境下也能保持稳定的性能。
  6. 宽温度范围:可以在极端温度条件下正常工作,适应多种环境需求。

应用

1. 无线通信设备中的射频功率放大器。
  2. 工业自动化控制系统中的开关元件。
  3. 音频设备中的功率放大器。
  4. 各种需要高频和大电流处理能力的电子电路。
  由于其优异的性能和可靠性,2SD2391T100Q成为了许多高要求应用的理想选择。

替代型号

2SD2391T100, 2SC4812, KSP104

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2SD2391T100Q产品

2SD2391T100Q参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)2A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)60V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)350mV @ 50mA,1A
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)120 @ 500mA,2V
  • 功率 - 最大2W
  • 频率 - 转换210MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-243AA
  • 供应商设备封装MPT3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称2SD2391T100Q-ND2SD2391T100QTR