类型：NPN
　　集电极-发射极击穿电压（VCEO）：30V
　　集电极-基极击穿电压（VCBO）：50V
　　发射极-基极击穿电压（VEBO）：7V
　　额定集电极电流（IC）：2A
　　峰值集电极电流（ICM）：3A
　　总耗散功率（PC）：800mW
　　直流电流增益（hFE）：120～700（在VCE = 10V, IC = 500mA条件下）
　　过渡频率（fT）：150MHz
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　热阻（Rth(j-c)）：156℃/W

2SD2226K晶体管具备优异的高频响应能力和较高的直流电流增益，使其能够在模拟放大电路中实现低失真的信号处理效果。其过渡频率达到150MHz，表明该器件在高频应用中仍能维持良好的增益特性，适用于射频前端或高速数字开关场景。
　　该晶体管的集电极电流额定值为2A，短时峰值可达3A，具备较强的负载驱动能力，可直接用于驱动小型继电器、LED阵列或直流电机等感性与阻性负载。同时，由于其较低的集电极-发射极饱和电压（典型值约为0.3V，当IC=2A且IB=200mA时），在开关模式下能够有效减少导通损耗，提升整体能效表现。
　　采用TO-126封装，不仅提供了良好的散热路径，还便于安装于印刷电路板上，并可通过外接散热片进一步增强热管理能力。这种封装形式兼具小型化与高可靠性，适合空间受限但对热性能有要求的设计。
　　2SD2226K在宽温度范围内保持参数稳定性，可在-55℃至+150℃的结温条件下正常工作，因此适用于环境条件较为严苛的工业控制、汽车电子辅助系统等领域。此外，器件内部结构经过优化，具备一定的抗二次击穿能力，提升了在瞬态过载情况下的安全裕度。
　　作为一款通用型中功率晶体管，2SD2226K还具有良好的互换性和兼容性，常被用作多种类似规格器件的替代选择。其制造过程遵循严格的品质控制流程，确保批次间的一致性，有利于大规模自动化生产中的良率控制。

2SD2226K广泛应用于各类需要中等功率放大的电子系统中。常见用途包括开关电源（SMPS）中的驱动级晶体管、DC-DC升压或降压转换器的输出级、电池供电设备的电源管理模块等。其高电流承载能力和快速开关特性也使其适用于脉冲宽度调制（PWM）控制电路，如电机速度调节、LED亮度控制等场景。
　　在工业控制领域，该晶体管可用于PLC输入输出模块中的信号隔离与驱动，驱动继电器、电磁阀或其他执行机构。在家用电器中，它可作为微波炉、洗衣机、空调等设备控制板上的风扇驱动或加热元件控制元件。
　　此外，2SD2226K也可用于音频放大器的前置或末级推动电路，尤其是在低频功率放大应用中表现出色。由于其较高的电流增益和线性度，能够实现较为平滑的音频信号还原。
　　在通信设备中，该晶体管可用于射频信号的缓冲放大或本地振荡器的输出驱动，特别是在UHF频段以下的应用中表现稳定。其高频特性也使其适用于数字逻辑接口电路中的电平转换与信号整形功能。
　　由于其封装紧凑且易于安装，2SD2226K也被广泛用于教育实验套件、原型开发板和嵌入式控制系统中，作为学生和工程师进行电路验证的理想选择。

MMBT2222A
　　FMMT22260
　　BCX56-10