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2SD2153T100U 发布时间 时间:2025/11/8 5:45:13 查看 阅读:8

2SD2153T100U是一款由东芝(Toshiba)公司生产的NPN型硅双极结型晶体管(BJT),主要用于音频放大、开关控制以及通用功率放大应用。该晶体管采用先进的平面外延技术制造,具有良好的热稳定性和可靠性,适用于高增益、中等功率的应用场景。其封装形式为TO-126,具备良好的散热性能和机械强度,适合在工业设备、消费类电子产品以及电源管理电路中使用。2SD2153T100U特别设计用于线性放大电路,如音频输出级或驱动级,能够提供较高的直流电流增益(hFE)和较低的饱和压降,从而提高系统效率并减少发热问题。
  该器件的工作温度范围较宽,通常可在-55°C至+150°C的结温范围内稳定运行,确保了在各种环境条件下的可靠工作。此外,2SD2153T100U通过了多项国际质量认证,符合RoHS环保要求,支持无铅焊接工艺,适应现代绿色电子制造的需求。由于其优异的电气特性和稳健的封装结构,该晶体管广泛应用于家用电器、音响设备、稳压电源、继电器驱动电路等领域。

参数

类型:NPN
  最大集电极-发射极电压(VCEO):50V
  最大集电极电流(IC):4A
  最大集电极功耗(PC):40W(带散热器)
  直流电流增益(hFE):70~700(测试条件IC=500mA, VCE=2V)
  特征频率(fT):120MHz
  集电极-基极截止电流(ICBO):0.1μA(典型值)
  发射极-基极截止电流(IEBO):0.1μA(典型值)
  饱和电压(VCE(sat)):0.3V(典型值,IC=2A, IB=200mA)
  工作结温范围(Tj):-55°C 至 +150°C
  存储温度范围(Tstg):-55°C 至 +150°C

特性

2SD2153T100U具备出色的电流放大能力,其直流电流增益(hFE)范围宽达70至700,在不同工作电流下仍能保持较高的增益稳定性,适用于需要动态调节增益的模拟放大电路。这种宽范围的hFE使得它在批量生产中具有更高的适配性,减少了因晶体管参数离散性带来的电路调试难度。同时,该器件的特征频率高达120MHz,意味着它不仅适用于低频音频放大,还能在较高频率的信号处理场合中发挥良好性能,例如前置放大器或宽带驱动级。
  该晶体管的集电极最大电流可达4A,最大功耗为40W(需配合适当散热器使用),使其能够在中等功率输出应用中胜任驱动负载的任务,比如扬声器输出级或电机控制电路中的开关元件。其较低的饱和压降(VCE(sat))显著降低了导通状态下的功率损耗,提高了能源利用效率,并有助于减小整体系统的发热量,提升长期运行的可靠性。
  采用TO-126封装形式,2SD2153T100U具备良好的热传导性能和机械坚固性,便于安装在散热片上以实现高效散热。该封装还提供了足够的电气隔离和耐压能力,增强了在高压环境下的安全性。此外,器件内部结构经过优化设计,具有较强的抗二次击穿能力,避免在开关过程中因局部过热而导致失效,提升了在开关电源或脉冲驱动应用中的耐用性。
  2SD2153T100U符合RoHS指令要求,采用无铅材料和环保工艺制造,支持回流焊和波峰焊等多种表面贴装与通孔焊接方式,适应现代化自动生产线的需求。其宽泛的工作温度范围(-55°C至+150°C)确保了在极端环境条件下依然可以稳定工作,适用于工业控制、汽车电子外围电路及户外设备等严苛应用场景。

应用

2SD2153T100U常用于各类模拟放大电路中,特别是在音频功率放大器的输出级或中间驱动级中表现优异,能够有效推动低阻抗扬声器负载,提供清晰且失真较低的声音输出。其高电流承载能力和良好的线性特性使其成为音响设备、家庭影院系统和公共广播系统中的关键组件。
  在电源管理系统中,该晶体管可用于线性稳压电源的调整管,通过反馈控制实现稳定的电压输出,尤其适用于对纹波敏感的精密仪器供电。此外,它也可作为开关元件用于DC-DC转换器、继电器驱动电路或小型电机控制模块,凭借快速的开关响应和低饱和压降实现高效的能量传递。
  工业自动化设备中常用2SD2153T100U来驱动电磁阀、指示灯或传感器模块,其可靠的开关性能和抗干扰能力保障了控制系统长时间稳定运行。在家用电器领域,如电视、洗衣机、空调等产品的控制板上,该晶体管常被用来进行信号放大或负载驱动功能。
  由于其具备较高的安全工作区(SOA),2SD2153T100U也适用于脉冲宽度调制(PWM)控制电路,能够承受瞬时大电流冲击而不易损坏,因此在LED调光、温度控制和速度调节等闭环控制系统中也有广泛应用。

替代型号

MJE2955T4G
  KSC2690TU
  BD139-10

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2SD2153T100U参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)2A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)25V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)500mV @ 20mA,1A
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)560 @ 500mA,6V
  • 功率 - 最大2W
  • 频率 - 转换110MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-243AA
  • 供应商设备封装MPT3
  • 包装带卷 (TR)