类型：NPN
　　集电极-发射极电压（VCEO）：80V
　　集电极-基极电压（VCBO）：80V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　集电极电流（IC）：3A
　　功率耗散（PD）：40W
　　直流电流增益（hFE）：70～700（典型值为200～400）
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　工作结温（Tj）：-55℃～+150℃
　　存储温度（Tstg）：-55℃～+150℃
　　封装形式：TO-126

2SD1842具备优异的电流放大能力和稳定的电气性能，其直流电流增益（hFE）范围宽广，通常在70至700之间，具体数值依据不同的分档等级而定，这使得它能够适应多种电路设计需求，尤其适合需要高增益响应的前置放大或驱动级应用。该晶体管的最大集电极电流可达3A，允许其在中等功率输出场景下长时间稳定运行，同时支持高达80V的集电极-发射极电压，具备一定的过压耐受能力，适用于多种电源电压环境下的应用。
　　其过渡频率（fT）为100MHz，表明该器件不仅可用于直流和低频信号放大，也能在高频开关或射频前级放大电路中发挥良好作用。相比同类中功率晶体管，2SD1842在高频响应与功率处理之间实现了较好的平衡。此外，TO-126封装提供了良好的散热性能，配合适当的散热片可有效降低热阻，提升整体可靠性。
　　该器件的热稳定性优秀，在高温环境下仍能保持参数一致性，避免因温度变化导致的工作点漂移。其最大功耗为40W，结合较低的饱和压降（VCE(sat) ≈ 0.3V at IC = 2A），有助于减少能量损耗并提高系统效率。在开关应用中，2SD1842表现出较快的响应速度和较小的延迟时间，适合用于脉冲宽度调制（PWM）控制、继电器驱动和电机控制等数字开关电路。
　　2SD1842还具备较强的抗二次击穿能力，提升了在突发负载或瞬态电压冲击下的安全性。由于采用硅材料制造，其漏电流（ICEO）较低，在常温下一般小于1μA，保证了静态工作点的稳定性，减少了不必要的功耗。综合来看，2SD1842是一款性能均衡、可靠性高的中功率NPN晶体管，适用于对成本敏感但又要求一定性能表现的应用场合。

2SD1842广泛应用于各类模拟与数字电路中，尤其是在中小功率音频放大器中作为输出级或驱动级使用，例如在家庭音响系统、有源音箱和耳机放大器中提供足够的电流驱动能力。其高增益和良好线性特性使其成为构建高质量音频放大电路的理想选择。此外，该晶体管也常见于直流电源稳压电路中，作为串联调整管来调节输出电压，实现线性电源的设计。
　　在工业控制领域，2SD1842可用于继电器、电磁阀或小型电机的驱动电路，利用其3A的负载承载能力实现对外部执行机构的有效控制。由于其响应速度快、开关特性优良，也可用于脉冲宽度调制（PWM）功率控制，如灯光调光、加热元件温度调节等应用场景。
　　在家用电器中，如电视、DVD播放机、充电器和电子镇流器等设备中，2SD1842常被用作信号放大或电源开关元件。其TO-126封装便于安装在PCB上，并可通过螺丝固定到散热片以增强散热效果，非常适合空间受限但需一定功率处理能力的嵌入式系统。
　　此外，该晶体管还可用于射频信号的初级放大阶段，尽管并非专为高频优化设计，但在数十兆赫兹以下频段仍能保持良好的增益表现。教育实验平台和电子爱好者项目中也常用2SD1842进行晶体管基本特性验证、放大电路搭建及开关电路测试，因其参数明确、价格低廉且易于获取，是教学与原型开发中的常用元件之一。

MJE172,MPSW45A,BC337-40