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2SD1767T100R 发布时间 时间:2025/5/13 17:23:24 查看 阅读:28

2SD1767T100R是一种NPN型双极结型晶体管(BJT),主要用于高频功率放大和开关应用。该器件采用先进的半导体制造工艺,具备高增益、低噪声和良好的线性度特点。其封装形式通常为TO-252或SOT-223,具体取决于制造商的生产工艺。这种晶体管广泛应用于通信设备、射频放大器以及工业自动化领域中的各种电路设计。

参数

集电极-发射极电压:60V
  集电极电流:2A
  直流电流增益(hFE):100~300
  过渡频率(fT):800MHz
  最大功耗:4W
  存储温度范围:-55℃~150℃

特性

2SD1767T100R具有较高的工作频率和较低的噪声系数,这使其非常适合用于高频信号处理。同时,它的大电流承载能力也确保了在功率放大场景中的稳定性。
  该晶体管的动态特性和热稳定性表现优异,能够适应较宽的工作温度范围。此外,其封装设计紧凑,便于在小型化和高密度电路板上进行布局。
  由于其优良的电气性能,该器件可支持复杂的调制方案,并保持较高的输出质量。

应用

该晶体管主要应用于无线通信系统中的功率放大器模块,例如基站收发信机和移动终端设备。此外,它还适用于雷达系统、卫星通信链路以及工业控制中的驱动电路。
  在音频设备领域,2SD1767T100R可以作为前置放大级元件使用,提供清晰且失真较小的声音信号处理能力。对于需要快速开关动作的应用场合,如PWM控制器或LED驱动器,此晶体管同样表现出色。

替代型号

2SC3358, 2SD1692

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2SD1767T100R产品

2SD1767T100R参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)700mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)80V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)400mV @ 50mA,500mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)180 @ 100mA,3V
  • 功率 - 最大2W
  • 频率 - 转换120MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-243AA
  • 供应商设备封装MPT3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称2SD1767T100R-ND2SD1767T100RTR