2SD1767T100Q 是一种双极型晶体管 (Bipolar Junction Transistor, BJT),广泛应用于功率放大、开关和信号处理等场景。该型号属于东芝 (Toshiba) 公司的高速功率晶体管系列,主要设计用于高频和大电流环境下的性能优化。
该器件采用TO-252小型表面贴装封装,具有出色的热特性和电气性能,适用于各种工业和消费类电子设备。
集电极-发射极击穿电压:80V
集电极最大连续电流:3A
功耗:30W
增益带宽积:4GHz
直流电流增益(hFE):最小值20,典型值40
过渡频率(fT):3GHz
存储温度范围:-55℃至+150℃
工作结温范围:-55℃至+150℃
2SD1767T100Q 晶体管具备高增益带宽积和快速切换能力,非常适合高频应用。其封装形式紧凑,适合表面贴装技术 (SMT) 的自动化生产流程。此外,该器件具有较高的电流承载能力和良好的散热性能,能够在较为苛刻的环境下稳定运行。
晶体管还支持高可靠性的电气隔离,并且在高温条件下仍能保持稳定的性能表现。这些特点使得它成为许多功率放大器、开关电源和射频电路的理想选择。
该晶体管适用于多种领域,包括但不限于:
1. 射频功率放大器
2. 开关电源中的开关元件
3. 音频功率放大器
4. 工业控制中的驱动电路
5. 通信设备中的信号调节模块
6. 测试与测量仪器中的高性能放大电路
2SD1767L100Q, 2SC4839