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2SD1767T100Q 发布时间 时间:2025/5/14 17:26:36 查看 阅读:3

2SD1767T100Q 是一种双极型晶体管 (Bipolar Junction Transistor, BJT),广泛应用于功率放大、开关和信号处理等场景。该型号属于东芝 (Toshiba) 公司的高速功率晶体管系列,主要设计用于高频和大电流环境下的性能优化。
  该器件采用TO-252小型表面贴装封装,具有出色的热特性和电气性能,适用于各种工业和消费类电子设备。

参数

集电极-发射极击穿电压:80V
  集电极最大连续电流:3A
  功耗:30W
  增益带宽积:4GHz
  直流电流增益(hFE):最小值20,典型值40
  过渡频率(fT):3GHz
  存储温度范围:-55℃至+150℃
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

2SD1767T100Q 晶体管具备高增益带宽积和快速切换能力,非常适合高频应用。其封装形式紧凑,适合表面贴装技术 (SMT) 的自动化生产流程。此外,该器件具有较高的电流承载能力和良好的散热性能,能够在较为苛刻的环境下稳定运行。
  晶体管还支持高可靠性的电气隔离,并且在高温条件下仍能保持稳定的性能表现。这些特点使得它成为许多功率放大器、开关电源和射频电路的理想选择。

应用

该晶体管适用于多种领域,包括但不限于:
  1. 射频功率放大器
  2. 开关电源中的开关元件
  3. 音频功率放大器
  4. 工业控制中的驱动电路
  5. 通信设备中的信号调节模块
  6. 测试与测量仪器中的高性能放大电路

替代型号

2SD1767L100Q, 2SC4839

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2SD1767T100Q产品

2SD1767T100Q参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)700mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)80V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)400mV @ 50mA,500mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)120 @ 100mA,3V
  • 功率 - 最大2W
  • 频率 - 转换120MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-243AA
  • 供应商设备封装MPT3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称2SD1767T100Q-ND2SD1767T100QTR