类型：NPN
　　集电极-发射极击穿电压（VCEO）：400 V
　　集电极-基极击穿电压（VCBO）：400 V
　　发射极-基极击穿电压（VEBO）：7 V
　　集电极连续电流（IC）：1.5 A
　　集电极峰值电流（ICM）：3 A
　　功耗（PC）：25 W
　　直流电流增益（hFE）：最小40（在IC=500mA时）
　　过渡频率（fT）：约4 MHz
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220

2SD1691-O晶体管在多个方面展现出优异的电气和物理特性，使其成为中功率模拟与数字电路中的理想选择。
　　首先，在电压耐受能力方面，该器件的集电极-发射极击穿电压（VCEO）高达400V，意味着它可以在高压环境中可靠运行，例如在开关电源、逆变器或荧光灯镇流器等应用中承受瞬态过压而不发生击穿。这种高耐压特性显著提升了系统的安全裕度和稳定性。
　　其次，2SD1691-O具备1.5A的连续集电极电流处理能力，并能短时承受最高3A的峰值电流，这使其能够驱动中等功率负载，如小型继电器、直流电机或LED阵列，而不会因过流导致热失效。其25W的最大功耗结合TO-220封装的良好导热性，允许在加装适当散热器的情况下长时间运行于较高功率状态。
　　再者，该晶体管的直流电流增益（hFE）在典型工作条件下不低于40，保证了较高的信号放大效率，减少了前级驱动电路的设计复杂度。即使在大电流下也能维持稳定的增益表现，有助于提升整体电路的线性度和响应精度。
　　频率响应方面，其过渡频率（fT）约为4MHz，虽然不适用于射频或超高速开关场景，但对于工频变换、PWM调光/调速等常见应用已完全足够。同时，较低的基极输入阻抗配合7V的发射极-基极反向击穿电压，使其可兼容多种驱动源，包括微控制器输出端口或光耦隔离电路。
　　最后，工作结温范围从-55°C到+150°C，表明其可在极端环境温度下正常运作，适用于户外设备、工业现场等恶劣条件下的电子系统。综合来看，2SD1691-O是一款兼具高耐压、中功率处理能力和良好环境适应性的通用功率晶体管。

2SD1691-O广泛应用于多种中功率电子系统中，尤其适合作为开关或线性放大元件使用。
　　在电源领域，它常用于构成离线式开关电源（SMPS）的主开关管或辅助控制电路中的驱动级，特别是在反激式（Flyback）和正激式（Forward）拓扑结构中表现良好。由于其400V的高击穿电压，能够直接连接整流后的市电母线电压（约300VDC），无需额外的降压转换即可实现高效能量传输。
　　在照明系统中，该晶体管可用于驱动冷阴极荧光灯（CCFL）或高压钠灯等需要升压启动的光源，作为振荡电路中的核心开关器件。其快速响应特性和足够的电流输出能力，有助于实现精确的亮度调节与稳定的工作状态。
　　此外，在工业控制方面，2SD1691-O可用于PLC输出模块中驱动继电器、接触器或电磁阀等执行机构。其TO-220封装便于安装在金属底板或散热片上，有效延长使用寿命并提高系统可靠性。
　　在家用电器中，如洗衣机、空调压缩机控制、电饭煲加热控制等场合，该晶体管也常被用来进行负载通断控制或电机速度调节。配合简单的驱动电路，即可实现对交流或直流负载的有效管理。
　　值得一提的是，尽管现代设计越来越多地采用MOSFET或IGBT作为功率开关，但在成本敏感且性能要求适中的应用中，2SD1691-O凭借其成熟的技术、稳定的供货和低廉的价格，依然保持着广泛的市场应用基础。

2SC3858,KSC3858,JX2SD1691,UTC2SD1691