时间：2025/12/27 8:34:21
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2SD1664G-P-AB3-R是一款由Rohm Semiconductor（罗姆半导体）生产的NPN型双极性晶体管（BJT），主要用于中高功率放大和开关应用。该器件采用先进的工艺技术制造，具有良好的热稳定性和可靠性，适用于工业控制、电源管理以及消费类电子设备中的各类电路设计。2SD1664G-P-AB3-R封装在小型表面贴装功率封装（如TO-252或DPAK类似形式）中，具备优良的散热性能，能够在较宽的温度范围内稳定工作。该晶体管特别适合用于DC-DC转换器、电机驱动、继电器驱动以及音频输出级等需要较高电流增益和耐压能力的应用场景。作为一款高性能通用功率晶体管，2SD1664G-P-AB3-R在设计上优化了饱和电压与开关速度之间的平衡，有助于提高系统效率并降低功耗。此外，其符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，满足现代电子产品对环境友好材料的要求。
类型：NPN
集电极-发射极电压VCEO：80V
集电极-基极电压VCBO：80V
发射极-基极电压VEBO：5V
集电极电流IC：3A
总功耗PC：1.25W
直流电流增益hFE：160～320（在IC=1A时）
过渡频率fT：150MHz
工作结温Tj：-55℃～+150℃
封装形式：TO-252 (DPAK)
安装类型：表面贴装
极性：NPN
最小包装数量：800片/卷
产品系列：2SD1664
通道数：单通道
2SD1664G-P-AB3-R具有优异的电气特性和稳定性，其最大集电极-发射极电压为80V，在额定工作条件下可安全驱动高达3A的连续集电极电流，适用于多种中等功率应用场景。该晶体管在IC=1A的工作点下，典型的直流电流增益（hFE）范围为160至320，表现出较高的放大能力，能够有效减少前级驱动电路的设计复杂度。
该器件的过渡频率（fT）达到150MHz，表明其具备良好的高频响应能力，可用于高速开关电路或宽带信号放大场合。同时，较低的饱和压降（典型值VCE(sat) @ IC=2A, IB=200mA 为0.3V）确保了在导通状态下功耗较低，从而提升整体能效并减少散热负担。
2SD1664G-P-AB3-R采用TO-252（DPAK）表面贴装封装，这种结构不仅节省PCB空间，还通过外露焊盘实现高效的热传导，有利于将芯片产生的热量迅速传递到PCB地层或散热区域，增强长期运行的可靠性。
器件的热阻特性优良，结至壳热阻（Rth(j-c)）约为40°C/W，使其在不额外增加大型散热器的情况下仍能承受一定的功率负荷。此外，其工作结温范围从-55°C到+150°C，适应恶劣环境下的工业级应用需求。
该晶体管经过严格的质量认证，具备高可靠性和长寿命，并且符合无铅和RoHS指令要求，支持回流焊和波峰焊等多种SMT生产工艺，便于自动化批量生产。这些综合特性使2SD1664G-P-AB3-R成为电源转换、电机控制和负载开关等应用中的理想选择。
2SD1664G-P-AB3-R广泛应用于各类需要中等功率处理能力的电子系统中。常见用途包括开关电源（SMPS）中的驱动级或输出级晶体管，用于控制变压器初级侧的通断操作；也可作为DC-DC升压或降压转换器中的功率开关元件，配合PWM控制器实现高效能量转换。
在工业控制领域，该晶体管常被用作继电器、电磁阀或小型电机的驱动开关，凭借其高电流承载能力和快速响应特性，能够可靠地控制感性负载的启停，同时配合保护二极管抑制反向电动势带来的冲击。
此外，在消费类电子产品中，如电视、音响设备、家用电器控制板中，2SD1664G-P-AB3-R可用于音频放大器的末级推挽输出、LED背光驱动或电源管理模块中的稳压调节功能。
由于其具备一定的高频性能，也可用于射频或脉冲信号的线性放大与整形电路中，尤其是在UHF频段以下的小信号放大应用中表现良好。
其他潜在应用还包括电池充电管理电路、电子镇流器、逆变器模块以及各类嵌入式控制系统中的功率接口单元。总之，凡是对体积、效率、可靠性和成本有综合考量的中功率模拟与数字电路，均可考虑使用2SD1664G-P-AB3-R作为核心开关或放大元件。
MMBT3904, BCX56-10, FMMT617, MJD31C, KSC3265
