类型：NPN
　　集电极-发射极电压（VCEO）：400 V
　　集电极-基极电压（VCBO）：400 V
　　发射极-基极电压（VEBO）：7 V
　　集电极电流（IC）：1 A
　　集电极峰值电流（ICM）：2 A
　　功耗（PC）：80 W
　　直流电流增益（hFE）：最小值 50（测试条件IC = 150 mA）
　　过渡频率（fT）：典型值 10 MHz
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220

2SD1651C晶体管具备优异的电气特性和稳定性，适用于多种高要求的应用环境。
　　首先，该器件拥有高达400V的集电极-发射极击穿电压（VCEO），使其能够在高压环境下可靠工作，特别适用于开关电源、逆变器和高压驱动电路中。这一高耐压能力确保了在瞬态过压或浪涌条件下仍能保持稳定运行，提升了系统的安全性和可靠性。
　　其次，2SD1651C的最大连续集电极电流可达1A，短时峰值电流可达到2A，能够有效驱动中等功率负载，如小型继电器、电磁阀或直流电机，满足多数工业控制和电源系统的需求。
　　该晶体管的直流电流增益（hFE）最低为50，在正常工作范围内具有较高的放大倍数，有助于提升信号放大效率并减少驱动电路的设计复杂度。同时，其过渡频率（fT）典型值为10MHz，表明该器件在中频范围内仍具备良好的响应能力，可用于中速开关操作或模拟信号放大应用。
　　TO-220封装不仅提供了优良的散热性能，还能通过散热片进一步增强热管理能力，确保长时间高负荷运行下的热稳定性。
　　此外，2SD1651C具有较低的饱和压降（VCE(sat)），在导通状态下能量损耗小，提高了整体能效。其宽广的工作结温范围（-55°C至+150°C）使其可在极端温度条件下稳定工作，增强了在恶劣环境下的适用性。
　　综上所述，2SD1651C以其高耐压、适中电流能力、良好增益和热稳定性，成为众多功率开关和放大电路中的优选器件。

2SD1651C主要应用于需要中等功率开关控制的电子系统中。
　　在开关电源领域，它常被用作PWM控制器的输出级驱动元件，适用于反激式或正激式拓扑结构中的主开关管或缓冲电路驱动，能够承受较高的电压应力并实现高效能量转换。
　　在DC-DC转换器中，该晶体管可用于升压、降压或升降压电路中作为功率开关，配合电感和二极管完成电压变换功能，尤其适用于工业级电源模块设计。
　　在电机控制方面，2SD1651C可用于驱动小型直流电机或步进电机的相线圈，通过微控制器输出信号进行通断控制，实现启停、调速等功能，常见于打印机、扫描仪、自动售货机等设备中。
　　此外，该器件也广泛用于继电器或电磁阀的驱动电路，利用其高电流增益特性，可以用微弱的控制信号驱动大电流负载，实现电气隔离与功率放大双重功能。
　　在照明控制系统中，2SD1651C可用于荧光灯镇流器或LED恒流源的开关调节部分，提供稳定的电流输出。
　　由于其高耐压和较强的抗干扰能力，该晶体管也被应用于工业自动化设备、家用电器（如洗衣机、空调）、充电器和UPS不间断电源等产品中，承担关键的功率切换任务。
　　总之，2SD1651C凭借其可靠的性能和广泛的适用性，在多个领域的功率控制电路中发挥着重要作用。

2SC3870, MJE13005, BU806, 2SD1664