类型：NPN
　　集电极-发射极电压（VCEO）：80V
　　集电极-基极电压（VCBO）：80V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　集电极电流（IC）：2A
　　集电极峰值电流（ICM）：3A
　　功耗（PD）：800mW
　　直流电流增益（hFE）：400～1000
　　过渡频率（fT）：150MHz
　　工作结温范围（Tj）：-55℃～+150℃
　　存储温度范围（Tstg）：-55℃～+150℃
　　封装形式：SOT-89-3

2SD1628L-G-AB3-R具备优异的高频响应能力和快速开关特性，这得益于其优化的内部结构设计和先进的制造工艺。其典型的过渡频率（fT）达到150MHz，能够在高频信号放大和高速开关电路中保持良好的性能表现，有效减少开关损耗，提高系统能效。该晶体管的直流电流增益（hFE）范围为400至1000，表现出极高的电流放大能力，可在低输入驱动条件下实现大电流输出，适用于驱动负载如继电器、电机或LED阵列。
　　该器件的集电极电流额定值为2A，峰值可达3A，能够满足大多数中等功率应用场景的需求。同时，其集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）在IC=1A且IB=50mA时典型值仅为0.2V，表明其在导通状态下具有非常低的功耗和热量产生，提升了整体系统的热稳定性与可靠性。低饱和压降也有助于提高电源转换效率，特别是在DC-DC升压或降压电路中表现突出。
　　SOT-89-3封装不仅体积小巧，节省PCB空间，而且具有良好的热传导性能，通过底部散热片可将内部热量有效传递至PCB，避免局部过热。该封装还具备较强的机械强度和焊接可靠性，适合回流焊和波峰焊等多种贴装工艺。此外，器件的工作结温范围宽达-55℃至+150℃，可在恶劣环境温度下稳定运行，适用于工业级甚至部分汽车电子应用。
　　2SD1628L-G-AB3-R还具有良好的噪声抑制能力和线性放大特性，在模拟信号处理电路中也能发挥出色性能。其电气参数的一致性和批次稳定性经过严格测试，确保大规模生产中的良率和系统一致性。综合来看，这款晶体管在性能、尺寸、功耗和可靠性之间实现了良好平衡，是现代中功率电子设计中的优选器件之一。

2SD1628L-G-AB3-R广泛应用于各类中等功率电子系统中。常见用途包括开关电源（SMPS）中的驱动级放大、DC-DC转换器的功率开关控制、LED照明驱动电路中的恒流调节与通断控制。由于其高电流增益和低饱和压降，特别适合用于低压大电流负载的驱动，例如小型电机启停控制、电磁阀或继电器的驱动电路。
　　在消费类电子产品中，该晶体管可用于便携式设备的电源管理模块，如移动电源、充电器控制电路或背光驱动单元。其SOT-89-3小封装形式非常适合空间受限的应用场景，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的子电源系统。
　　在工业控制领域，2SD1628L-G-AB3-R可用于PLC输出模块、传感器信号调理电路或执行器驱动接口，提供稳定可靠的开关功能。此外，在汽车电子中，该器件可用于车身控制模块（BCM）、车灯控制、风扇电机驱动等非主动力系统应用，因其宽温工作范围和高可靠性而受到青睐。
　　由于其良好的高频特性和快速响应能力，也可作为射频或音频前置放大器中的增益单元，尤其适用于对增益线性度要求较高的模拟信号链设计。总之，该晶体管凭借其多方面的优异性能，适用于多种需要高效、紧凑、可靠晶体管解决方案的设计场景。

2SD1666, MJD31CT4, FMMT417, ZTX605, BCX56-10