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2SD1618T-TD-E 发布时间 时间:2025/8/2 6:25:37 查看 阅读:33

2SD1618T-TD-E 是一款由东芝(Toshiba)制造的NPN型双极结型晶体管(BJT),主要用于高频放大和开关应用。这款晶体管被设计用于在高频条件下提供优良的性能,适用于诸如射频(RF)和中频(IF)放大器等应用场景。

参数

晶体管类型:NPN BJT
  最大集电极-发射极电压(Vce):50V
  最大集电极电流(Ic):150mA
  最大功耗(Ptot):300mW
  频率范围:100MHz
  电流增益(hFE):在2kHz时为70-700(具体值依赖于工作电流)
  封装类型:TO-92

特性

2SD1618T-TD-E晶体管以其在高频条件下的稳定性能而著称,适用于各种射频和中频放大器电路。
  该晶体管具有较高的电流增益(hFE),这意味着它可以有效地放大信号,从而在射频和音频放大电路中表现出色。
  此外,这款晶体管的设计允许其在较高的频率下工作,使其成为许多高频电路设计的首选器件。
  它的封装形式为TO-92,这是一种常见的三引脚封装,便于在各种电路板上安装和使用。
  2SD1618T-TD-E具有良好的热稳定性和可靠性,能够在较宽的工作温度范围内保持性能稳定。
  这种晶体管还具有较低的噪声系数,这对于需要高信号纯度的应用来说是一个重要的特性。

应用

由于其高频性能和电流增益特性,2SD1618T-TD-E被广泛应用于射频放大器、中频放大器、高频开关电路、音频前置放大器等电子设备中。
  此外,它也常用于无线通信设备中的信号放大环节,以确保信号传输的清晰度和稳定性。
  在一些消费类电子产品中,如收音机和电视机的调谐电路中,也可以找到该晶体管的身影。

替代型号

2SC3355, 2N5179

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2SD1618T-TD-E产品

2SD1618T-TD-E参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)700mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)15V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)80mV @ 10mA,100mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)140 @ 50mA,2V
  • 功率 - 最大500mW
  • 频率 - 转换250MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-243AA
  • 供应商设备封装PCP
  • 包装带卷 (TR)