2SD1618S-TD-E是一款NPN型晶体管,广泛应用于高频放大和开关电路中。该晶体管采用先进的制造工艺,确保了其在高频工作条件下的稳定性和可靠性。其封装形式为SOT-23,适合表面贴装技术,适用于各种电子设备。
类型: NPN晶体管
材料: 硅
最大集电极电流: 100mA
最大集电极-发射极电压: 50V
最大基极-发射极电压: 5V
最大功耗: 300mW
增益带宽: 100MHz
电流增益: 110-800(根据等级不同)
封装类型: SOT-23
2SD1618S-TD-E晶体管具有优良的高频性能,适用于射频和中间频率放大器的设计。其高电流增益使其能够在低电流条件下提供稳定的放大效果。
此外,该晶体管的封装设计使其具有良好的热稳定性和机械强度,适合在各种环境条件下使用。SOT-23封装还具有较小的体积,便于在紧凑的电路板布局中使用。
该晶体管在生产过程中经过严格的测试,确保其电气性能和可靠性符合工业标准。这使得2SD1618S-TD-E在各种应用中都能提供稳定的表现。
2SD1618S-TD-E晶体管常用于高频放大器、射频模块、无线通信设备以及各种电子控制系统中的开关电路。其高频特性使其在音频放大器和信号处理电路中也有广泛的应用。此外,该晶体管也可用于传感器电路和电源管理应用。
2N3904, BC547, 2SC3807