类型：NPN
　　集电极-发射极电压（VCEO）：40V
　　集电极-基极电压（VCBO）：50V
　　发射极-基极电压（VEBO）：7V
　　集电极电流（IC）：3A
　　集电极峰值电流（ICM）：3A
　　功耗（PC）：1.25W
　　直流电流增益（hFE）：100~800（典型值）
　　过渡频率（fT）：150MHz
　　工作结温（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-126

2SD1145F晶体管具备优异的电气性能和热稳定性，其直流电流增益（hFE）范围宽广，典型值在100至800之间，这使得它在不同工作电流下仍能保持良好的放大线性度和开关一致性。该器件的高增益特性使其在小信号驱动条件下即可实现大电流输出，非常适合用于低电平信号控制大功率负载的应用场景。
　　该晶体管的集电极电流额定值为3A，能够承受短时高峰值电流，具备较强的负载驱动能力，适用于驱动继电器、小型电机、LED阵列或功率MOSFET栅极等感性或阻性负载。同时，其较低的饱和压降（VCE(sat)）确保了在导通状态下功耗较低，有助于提高系统整体效率并减少散热需求。
　　2SD1145F的工作频率特性良好，过渡频率（fT）可达150MHz，虽然主要定位为低频功率应用，但在高频开关场合如DC-DC转换器中也能表现出较快的开关速度和较小的开关损耗。其开关时间（包括延迟时间、上升时间、存储时间和下降时间）经过优化，能够在脉冲宽度调制（PWM）控制中实现精确的占空比调节。
　　该器件采用TO-126塑料封装，具有良好的机械强度和热传导性能，便于安装在散热片上以增强散热效果。其工作结温范围宽达-55℃至+150℃，可在恶劣环境温度下稳定工作，增强了在工业和汽车电子应用中的适应性。此外，2SD1145F通过了严格的可靠性测试，具备较高的抗静电能力和长期运行稳定性，适合批量生产使用。

2SD1145F广泛应用于多种电子电路中，特别是在需要中等功率开关控制的场合。常见应用包括开关电源中的驱动级电路，用于控制功率MOSFET或IGBT的导通与关断，实现高效的能量转换。在DC-DC升压或降压转换器中，该晶体管可作为主开关或同步整流驱动元件使用，提供可靠的控制信号放大功能。
　　在工业自动化控制系统中，2SD1145F常用于PLC输出模块中驱动继电器或电磁阀，利用其高电流增益和负载驱动能力，将微控制器的低电平信号转换为足以驱动执行机构的大电流信号。此外，在家用电器如洗衣机、空调、微波炉等设备中，该晶体管可用于电机速度控制、加热元件开关或显示背光驱动电路。
　　在汽车电子领域，2SD1145F可用于车身控制模块（BCM）中控制车灯、雨刷、门锁等负载，其宽温工作范围和高可靠性满足汽车级应用要求。同时，在音频放大器电路中，2SD1145F可作为前置放大或推动级晶体管，配合互补对管构成推挽输出结构，提升音频输出功率。
　　由于其封装小巧且易于安装，2SD1145F也适用于空间受限的便携式设备电源管理模块，例如充电器、适配器和电池管理系统中的信号切换与保护电路。总体而言，该晶体管凭借其高增益、高电流能力和稳定性能，成为众多中功率模拟与数字电路中的关键元件。

MMBT3904、BC337-40、KSC3503、ZTX605