您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > 2SCR502UBTL

2SCR502UBTL 发布时间 时间:2025/12/25 11:43:52 查看 阅读:20

2SCR502UBTL是一款由东芝(Toshiba)生产的双极结型晶体管(BJT),属于通用小信号NPN晶体管系列。该器件采用SOT-23(SC-59)小型表面贴装封装,适用于高密度印刷电路板设计,广泛用于便携式消费类电子产品和通信设备中。2SCR502UBTL的主要功能是作为开关或放大元件,在低电压、低电流条件下实现高效的信号控制与处理。其设计优化了高频响应和开关速度,适合在高频驱动电路和逻辑接口应用中使用。该晶体管具有良好的热稳定性和可靠性,能够在较宽的温度范围内稳定工作,满足工业级和商业级应用的需求。此外,2SCR502UBTL符合RoHS环保标准,不含铅等有害物质,支持无铅焊接工艺,适应现代绿色电子制造的要求。由于其紧凑的封装形式和优异的电气性能,该器件常被用于手机、平板电脑、笔记本电脑以及其他需要微型化和高性能晶体管的场合。

参数

类型:NPN
  集电极-发射极电压(VCEO):50V
  集电极-基极电压(VCB):70V
  发射极-基极电压(VEBO):6V
  集电极电流(IC):100mA
  功率耗散(Pc):200mW
  直流电流增益(hFE):120~700(测试条件:IC=2mA, VCE=5V)
  过渡频率(fT):80MHz
  工作结温(Tj):-55°C~+150°C
  封装类型:SOT-23(SC-59)

特性

2SCR502UBTL具备优异的高频特性和快速开关能力,这使其在高频信号放大和高速数字开关电路中表现出色。其过渡频率高达80MHz,确保了在射频前端模块、振荡器以及高频驱动电路中的有效应用。晶体管的直流电流增益范围宽,典型值为120至700,能够在不同偏置条件下提供稳定的放大性能,适用于多种偏置网络设计。该器件在低电流工作状态下仍能保持较高的hFE值,提升了其在微弱信号放大场景下的可用性。
  该晶体管采用了先进的硅外延平面技术制造,具有良好的热稳定性和长期可靠性。其最大集电极电流为100mA,适合用于低功耗控制电路,如LED驱动、传感器信号调理、继电器驱动等。同时,2SCR502UBTL的饱和压降低,在开关模式下能够减少导通损耗,提高系统效率。其SOT-23封装具有较小的寄生电感和电容,有利于提升高频性能,并便于自动化贴片生产,适合大规模表面贴装工艺(SMT)。
  器件的电气参数经过严格筛选和测试,保证批次间的一致性,降低了电路设计中的调试难度。此外,2SCR502UBTL具有较高的击穿电压(VCEO=50V),可在中等电压环境下安全运行,适用于电池供电设备中可能存在电压波动的应用场景。其工作结温范围从-55°C到+150°C,能够在恶劣环境条件下保持稳定性能,适合工业控制、汽车电子外围电路等对可靠性要求较高的领域。整体而言,该晶体管是一款性能均衡、应用广泛的通用型NPN三极管。

应用

2SCR502UBTL广泛应用于各类消费类电子产品中,特别是在需要小型化和高效能的便携式设备中表现突出。常见用途包括音频信号放大电路、高频振荡器、射频开关、逻辑电平转换器以及数字控制开关电路。在智能手机和平板电脑中,它可用于背光LED驱动、电源管理模块中的负载开关或传感器接口电路。
  此外,该晶体管也适用于各类嵌入式控制系统,如微控制器外围驱动电路,用于驱动蜂鸣器、小型继电器或光耦输入端。在通信设备中,可作为低噪声前置放大器或信号切换开关使用。由于其良好的线性度和增益稳定性,也可用于模拟信号处理电路,如运算放大器的输入级或差分对管结构。
  在工业自动化领域,2SCR502UBTL可用于PLC输入输出模块的小信号切换、光电传感器信号放大等任务。其SOT-23封装便于PCB布局优化,适合高密度组装需求。总之,该器件适用于任何需要小功率NPN晶体管进行信号放大或开关控制的场景。

替代型号

MMBT3904, BC847B, FMMT217, KSC1845FBU

2SCR502UBTL推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

2SCR502UBTL资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

2SCR502UBTL参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥2.38000剪切带(CT)3,000 : ¥0.42641卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)500 mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)30 V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 10mA,200mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值)200nA(ICBO)
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)200 @ 100mA,2V
  • 功率 - 最大值200 mW
  • 频率 - 跃迁360MHz
  • 工作温度150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳SC-85
  • 供应商器件封装UMT3F