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2SC5865TLQ 发布时间 时间:2025/12/25 12:44:19 查看 阅读:16

2SC5865TLQ是一款由Toshiba(东芝)公司生产的NPN型双极结型晶体管(BJT),专为高频、高功率应用设计,广泛应用于射频(RF)放大器、音频功率放大器以及开关电路中。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有优良的增益性能和热稳定性,适合在高可靠性要求的工业、通信和消费类电子设备中使用。2SC5865TLQ封装于小型表面贴装型封装(如SOT-89或类似),有助于减小PCB占用面积并提升系统集成度。其结构优化了电流传输效率和开关响应速度,能够在较高的频率下保持稳定的增益特性。该晶体管在设计上注重低失真与高线性度,适用于对信号保真度要求较高的模拟放大场景。此外,2SC5865TLQ具备良好的耐压能力和热阻特性,可在较宽的温度范围内稳定工作,增强了其在复杂电磁环境和高温工况下的适应能力。作为一款通用型中功率晶体管,它常被用于DC-DC转换器、电机驱动、LED驱动电源及各类信号调理电路中。由于其优异的性价比和供货稳定性,2SC5865TLQ在亚洲市场尤其是中国、日本和韩国的电子产品中得到了广泛应用。

参数

类型:NPN
  集电极-发射极击穿电压(VCEO):50 V
  集电极-基极击穿电压(VCBO):60 V
  发射极-基极击穿电压(VEBO):5 V
  最大集电极电流(IC):1 A
  最大功耗(Pc):800 mW
  直流电流增益(hFE):120 ~ 400 @ IC = 150 mA
  过渡频率(fT):150 MHz
  饱和电压(VCE(sat)):≤ 0.3 V @ IC = 150 mA, IB = 15 mA
  工作结温范围(Tj):-55 °C 至 +150 °C
  热阻(Rth(j-c)):150 °C/W
  封装形式:SOT-89

特性

2SC5865TLQ具备出色的高频响应能力,其典型的过渡频率(fT)可达150MHz,使其非常适合用于射频放大和高速开关应用。在高频工作条件下,该晶体管仍能维持较高的电流增益,确保信号放大过程中的低失真和高保真输出。这一特性使其成为无线通信模块、FM广播放大器和电视调谐器等高频电路中的理想选择。
  该器件具有良好的线性放大特性,在宽电流范围内表现出稳定的直流电流增益(hFE),典型值在120至400之间,且随温度变化较小,有利于提高模拟放大电路的稳定性与一致性。这种高而稳定的增益特性减少了外部补偿电路的需求,简化了整体设计流程。
  2SC5865TLQ采用SOT-89小型化表面贴装封装,不仅节省了印刷电路板空间,还具备较好的散热性能。其热阻(Rth(j-c))为150°C/W,能够在有限的散热条件下安全运行。同时,该器件的最大功耗达到800mW,支持中等功率级别的连续工作,适用于电池供电设备及便携式电子产品。
  该晶体管具有较低的集电极-发射极饱和电压(VCE(sat) ≤ 0.3V),这意味着在开关模式下导通损耗小,效率高,特别适合用于脉冲宽度调制(PWM)控制、DC-DC升压/降压转换器以及数字逻辑驱动电路中。低饱和电压也有助于减少发热,延长系统寿命。
  2SC5865TLQ的工作结温范围宽达-55°C至+150°C,具备优异的环境适应能力,可在极端高低温环境下可靠运行,满足工业级和汽车级应用需求。此外,其引脚兼容性强,便于替换同类产品,提升了设计灵活性。

应用

2SC5865TLQ广泛应用于多种电子系统中,尤其适用于需要中等功率放大或高速开关功能的场合。在射频领域,它常被用作小信号放大器或驱动级放大器,常见于无线收发模块、蓝牙设备、Wi-Fi前端电路以及AM/FM收音机的中频放大阶段。由于其高频特性和良好线性度,能够有效提升接收灵敏度与信号清晰度。
  在音频应用方面,2SC5865TLQ可用于前置放大器、耳机驱动电路或小型扬声器放大器中,提供低噪声、低失真的声音还原效果。其高增益和宽频响特性有助于增强音质表现,适合用于便携式音响、智能音箱和多媒体设备中。
  该器件也广泛用于电源管理电路,例如开关稳压器、LED恒流驱动电源和DC-DC转换器中,作为开关元件实现高效的能量转换。其快速开关响应和低饱和压降可显著降低功耗,提高电源效率。
  此外,2SC5865TLQ还可用于电机驱动、继电器驱动、传感器信号调理和数字逻辑接口电路中,作为缓冲级或电平转换器使用。在工业控制系统、家用电器和消费类电子产品中均有广泛应用。
  得益于其紧凑的SOT-89封装和优良的热性能,该晶体管也非常适合自动化贴片生产,适用于大批量制造场景,提升了产品的可量产性和一致性。

替代型号

2SC5865,TIP41C,2N2222A,BCX56

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2SC5865TLQ产品

2SC5865TLQ参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)1A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)60V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)500mV @ 50mA,500mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)120 @ 100mA,2V
  • 功率 - 最大500mW
  • 频率 - 转换250MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装TSMT3
  • 包装带卷 (TR)