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2SC5826 发布时间 时间:2025/12/25 12:45:02 查看 阅读:18

2SC5826是一款NPN型硅晶体管,由东芝(Toshiba)公司生产,主要用于音频放大和功率放大应用。该晶体管设计用于在高电压和高电流条件下稳定工作,因此在许多工业和消费类电子设备中得到了广泛应用。2SC5826通常采用TO-220或类似的大功率封装形式,具备良好的散热性能,适合安装在散热器上以提高其功率处理能力。该器件在音响系统、电源控制电路以及信号放大电路中表现优异,尤其是在需要高增益和低失真的场合下更为突出。由于其优良的频率响应特性和较高的集电极-发射极击穿电压,2SC5826也常被用作开关元件或驱动级晶体管。此外,该晶体管具有较低的饱和压降,有助于减少功耗并提升整体效率。制造工艺上,2SC5826采用了先进的平面外延技术,确保了器件的一致性与可靠性,并能在较宽的工作温度范围内保持稳定的电气特性。

参数

类型:NPN
  材料:硅
  最大集电极-发射极电压(Vceo):140V
  最大集电极-基极电压(Vcb):140V
  最大发射极-基极电压(Veb):6V
  最大集电极电流(Ic):3A
  最大总耗散功率(Ptot):70W(Tc=25℃)
  直流电流增益(hFE):100~400(典型值,测试条件Ic=500mA, Vce=10V)
  特征频率(fT):100MHz
  集电极截止电流(Iceo):≤1μA(最大值,Vce=140V, Ta=25℃)
  饱和压降(Vce(sat)):≤0.5V(测试条件Ic=2A, Ib=200mA)
  工作结温范围(Tj):-55℃ ~ +150℃
  存储温度范围:-55℃ ~ +150℃
  封装形式:TO-220

特性

2SC5826晶体管具备多项关键特性,使其在模拟和数字电路中表现出色。
  首先,其高电压耐受能力是其显著优势之一。该晶体管的最大集电极-发射极电压可达140V,使其适用于高压环境下的放大与开关操作,例如在开关电源、音频输出级及电机驱动电路中都能可靠运行。这种高耐压特性减少了因瞬态过压导致器件损坏的风险,提高了系统的稳定性与安全性。
  其次,2SC5826拥有高达3A的最大集电极电流承载能力,结合其70W的最大功率耗散能力(在壳温25°C时),使其能够处理较大的负载电流,非常适合用于大功率放大器输出级或作为电源调整管使用。同时,其较低的饱和压降(典型值小于0.5V)有效降低了导通损耗,提升了能效,减少了发热问题,从而延长了器件寿命。
  再者,该晶体管具有优良的电流增益特性,直流电流增益(hFE)在100至400之间,且在整个工作电流范围内保持相对稳定,这有助于实现更线性的放大效果,减少信号失真,特别适合高保真音频放大器的设计需求。
  频率响应方面,2SC5826的特征频率(fT)达到100MHz,意味着它不仅能在音频频段内提供出色的放大性能,还可在高频开关应用中胜任,如DC-DC转换器中的驱动级。
  此外,该器件采用TO-220封装,具有良好的热传导性能,便于安装散热片,进一步增强了其在连续高负载工作条件下的可靠性。整体而言,2SC5826以其高电压、大电流、高增益和良好热性能的综合优势,成为众多功率电子设计中的理想选择。

应用

2SC5826广泛应用于多种电子系统中,尤其集中在需要高电压和大电流处理能力的场景。
  在音频放大领域,它是高保真音响系统和功率放大器输出级的常用器件。凭借其高电流增益和低失真特性,2SC5826能够精确放大音频信号,还原声音细节,满足对音质要求较高的应用场景。多个2SC5826可并联使用以进一步提升输出功率,适用于家庭影院、专业音响设备等。
  在电源管理系统中,该晶体管可用于线性稳压电源的调整管,通过调节基极电流来控制输出电压,实现稳定的直流供电。尽管效率低于开关电源,但在对噪声敏感的应用中仍具优势。
  此外,2SC5826也被用于开关电源的驱动级或辅助电源电路中,利用其快速开关能力和高耐压特性,控制主开关管的导通与关断。
  工业控制方面,它可用作继电器驱动器、电机控制器或固态继电器中的开关元件,能够承受感性负载产生的反向电动势,保护控制电路。
  在消费类电子产品中,如电视机、音响设备、充电器等,2SC5826常作为功率放大或电源调节的核心组件。
  由于其良好的热稳定性和可靠性,该晶体管也适用于环境条件较为恶劣的工业设备中,如自动化控制系统、电源模块和逆变器等。总的来说,2SC5826因其多功能性和稳健性能,在模拟与功率电子设计中占据重要地位。

替代型号

2SC3807, 2SC4793, MJE13009, BU806, 2SC5336

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2SC5826参数

  • 安装类型通孔
  • 宽度2.5mm
  • 封装类型ATV
  • 尺寸4.4 x 6.8 x 2.5mm
  • 引脚数目3
  • 晶体管类型NPN
  • 最大功率耗散1000 mW
  • 最大发射极-基极电压6 V
  • 最大直流集电极电流3 A
  • 最大集电极-发射极电压60 V
  • 最大集电极-发射极饱和电压0.5 V
  • 最大集电极-基极电压60 V
  • 最高工作温度+150 °C
  • 最高工作频率200 MHz
  • 每片芯片元件数目1
  • 类别双极功率
  • 配置
  • 长度6.8mm
  • 高度4.4mm