类型：NPN
　　集电极-发射极击穿电压（VCEO）：50V
　　集电极-基极击穿电压（VCBO）：70V
　　发射极-基极击穿电压（VEBO）：6V
　　集电极最大连续电流（IC）：150mA
　　峰值集电极电流（ICM）：300mA
　　最大耗散功率（Pc）：200mW
　　直流电流增益（hFE）：70 - 700
　　过渡频率（fT）：8GHz
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：SOT-23

2SC5824晶体管的核心优势在于其高频响应能力和低噪声特性，这使其成为高频小信号放大应用的理想选择。该器件的过渡频率（fT）高达8GHz，意味着它可以在GHz级别的频率下有效工作，非常适合用于UHF和VHF频段的射频放大电路。这种高频性能得益于其内部结构优化和先进的制造工艺，能够显著降低寄生电容和载流子传输延迟，从而提升整体频率响应。
　　此外，2SC5824具有非常低的噪声系数，通常在1dB以下（具体值视工作频率和偏置条件而定），这对于接收机前端放大器、低电平信号放大以及对信噪比要求较高的应用场景至关重要。例如，在无线麦克风、FM收音机模块、GPS接收器和物联网（IoT）无线传感器节点中，使用2SC5824可以有效增强微弱信号的放大能力而不引入过多噪声。
　　另一个关键特性是其宽范围的直流电流增益（hFE），从70到700不等，表明该晶体管在不同工作电流下仍能维持较高的放大倍数，并且批次间一致性较好，有利于批量生产中的电路稳定性控制。同时，该器件支持高达150mA的连续集电极电流，在小型封装中实现了较高的驱动能力，可用于驱动后续级联电路或轻负载开关操作。
　　热稳定性方面，2SC5824可在-55℃至+150℃的结温范围内正常工作，适应严苛环境下的长期运行需求。其SOT-23封装不仅体积小巧，节省PCB空间，而且具备良好的散热性能和焊接可靠性，适合回流焊和波峰焊工艺。综合来看，2SC5824是一款集高频、低噪、高增益与高可靠性于一体的通用高频NPN晶体管，广泛应用于现代通信和消费类电子领域。

2SC5824主要应用于需要高频放大和低噪声性能的电子系统中。典型用途包括射频（RF）小信号放大器，特别是在无线通信设备如Wi-Fi模块、蓝牙收发器、ZigBee网络节点和远程遥控装置中作为前置放大器使用。在这些应用中，2SC5824负责将天线接收到的微弱射频信号进行初步放大，以提高系统的灵敏度和接收距离。
　　此外，该晶体管也常用于振荡电路中，作为本地振荡器或缓冲放大器的核心元件，凭借其高fT值和良好的相位噪声特性，有助于生成稳定且纯净的高频信号。在电视调谐器、FM广播接收机和软件定义无线电（SDR）设备中，2SC5824可用于VHF/UHF频段的信号选频与放大。
　　在高速开关电路中，2SC5824也能发挥其快速响应的优势，适用于脉冲信号放大、数字逻辑接口驱动和高速数据传输线路中的信号整形。由于其开关速度较快，延迟时间短，因此在某些低功耗、高频率切换的应用场景中可替代传统的通用开关晶体管。
　　另外，在便携式电子设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，2SC5824因其小型化封装和低功耗特性，被集成于射频前端模块或传感器信号调理电路中，用于提升整体系统性能。总之，凡是涉及高频模拟信号处理、低噪声放大或高速开关功能的场合，2SC5824都是一种可靠且高效的分立器件解决方案。

MMBT3904, 2SC3356, 2SC3838, BFR92A