时间：2025/9/20 21:19:43
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2SC5823-TL-E是一款由ROHM Semiconductor（罗姆半导体）生产的NPN型双极结型晶体管（BJT），主要用于高频放大和高速开关应用。该器件采用小型表面贴装封装（如SOT-416或类似小型化封装），适合高密度印刷电路板设计，广泛应用于便携式电子设备、无线通信模块、音频前置放大器以及信号切换电路中。作为一款通用高频晶体管，2SC5823-TL-E具有优良的增益特性与频率响应，能够在宽温度范围内稳定工作，适用于工业级和消费类电子产品。其“-TL-E”后缀通常表示该产品为符合环保标准的无铅（Pb-free）版本，并适用于自动贴片生产工艺，满足现代电子制造对环境友好和自动化生产的需求。该器件在设计上优化了寄生参数，具备较低的噪声特性和较高的可靠性，是许多模拟与数字混合信号系统中的关键组件之一。
类型：NPN
集电极-发射极电压（VCEO）：50V
集电极-基极电压（VCBO）：70V
发射极-基极电压（VEBO）：6V
集电极电流（IC）：150mA
功耗（Pc）：150mW
直流电流增益（hFE）：70～700（测试条件IC=2mA, VCE=5V）
过渡频率（fT）：250MHz
最大工作温度：+150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：SOT-416（US6）
2SC5823-TL-E晶体管具备优异的高频性能，其典型过渡频率（fT）高达250MHz，使其非常适合用于射频（RF）小信号放大、高频振荡电路及宽带信号处理等应用场景。这一高频能力意味着该器件可以在数百兆赫兹的频率范围内保持良好的增益表现，有效传递并放大高频信号而不会产生显著失真。此外，该晶体管的直流电流增益（hFE）范围宽广，从70到700不等，允许在不同偏置条件下实现灵活的设计匹配，提升了电路设计的容差能力。
该器件采用先进的芯片制造工艺，在保证高性能的同时实现了极低的内部寄生电容和引线电感，从而减少了高频下的信号损耗和相位延迟。这种结构优化有助于提升整体电路的响应速度和稳定性，尤其适用于需要快速开关动作的数字逻辑驱动或脉冲信号放大场合。同时，2SC5823-TL-E具有较低的噪声系数，这使得它在微弱信号放大应用中表现出色，例如在接收机前端、传感器信号调理电路或音频前置放大器中可有效抑制背景噪声，提高信噪比。
热稳定性方面，该晶体管能够在-55°C至+150°C的宽温度范围内可靠运行，适应严苛的工作环境。其最大功耗为150mW，结合小型SOT-416封装，实现了高性能与紧凑尺寸的平衡。该封装还支持回流焊工艺，兼容现代SMT（表面贴装技术）生产线，提高了组装效率和产品一致性。此外，“-TL-E”标识表明该器件符合RoHS指令要求，不含铅等有害物质，属于绿色环保元器件，适用于出口型电子产品和环保认证项目。
2SC5823-TL-E广泛应用于高频小信号放大电路，如FM收音机、无线遥控模块、蓝牙通信设备和射频识别（RFID）系统的前置放大级。由于其高fT值和低噪声特性，适合处理微弱的高频输入信号并进行有效放大。该器件也常用于各类便携式消费电子产品中的开关控制功能，例如手机、平板电脑、数码相机中的背光驱动、电源管理切换或信号路径选择等场景。
在工业控制领域，2SC5823-TL-E可用于传感器信号调理电路，将来自温度、压力或光敏元件的微弱电信号进行初级放大，以便后续模数转换处理。此外，它还可作为逻辑电平转换器或驱动晶体管使用于微控制器输出接口，用于驱动LED、继电器或其他低功率负载。在通信基础设施中，该晶体管可用于中低频段的信号缓冲与阻抗匹配网络，增强系统整体信号完整性。
得益于其小型化封装和高可靠性，2SC5823-TL-E特别适用于空间受限且对性能要求较高的模块化设计，如物联网（IoT）节点、穿戴式设备和智能家居传感单元。其稳定的电气特性和良好的批次一致性也使其成为批量生产的理想选择。
MMBT3904LT1G
FMMT213TA
KSC1845YTB
