类型：NPN
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　集电极-基极电压（VCBO）：70V
　　发射极-基极电压（VEBO）：4V
　　集电极电流（IC）：150mA
　　功耗（Pc）：200mW
　　直流电流增益（hFE）：70～700（根据测试条件）
　　过渡频率（fT）：8GHz
　　工作结温（Tj）：-55℃～+150℃
　　封装类型：S-Mini（2SC-89AB）

2SC5793晶体管具备出色的高频性能，其过渡频率高达8GHz，使其在高频放大和射频应用中表现出色。这种高fT值意味着晶体管能够在GHz级别的信号频率下依然保持较高的电流增益，非常适合用于UHF和VHF频段的信号放大。该器件的低噪声特性进一步增强了其在接收前端电路中的适用性，例如在电视调谐器、卫星接收机和无线模块中作为低噪声放大器（LNA）使用。
　　该晶体管的直流电流增益范围宽（70～700），允许在不同增益需求的应用中灵活选用，同时保证了批次间的一致性与可靠性。通过精确控制掺杂浓度和基区宽度，Rohm实现了对β值的良好控制，从而提升了整体性能稳定性。此外，2SC5793的封装设计采用了微型化表面贴装技术，不仅减小了器件体积，还降低了引线电感，减少了高频信号传输过程中的寄生效应，提高了电路的整体高频响应能力。
　　热稳定性方面，2SC5793可在-55℃至+150℃的结温范围内正常工作，适应各种严苛的工作环境。其最大功耗为200mW，在适当的散热设计下可长时间稳定运行。器件的击穿电压适中（VCEO=50V），适用于低压高频系统，避免了高压带来的额外噪声和失真问题。此外，该晶体管具备良好的开关特性，上升时间和下降时间较短，可用于高速开关应用，如脉冲放大器或数字调制电路中的驱动级。
　　由于采用硅材料和成熟的平面工艺制造，2SC5793具有良好的长期可靠性，并通过了多项工业级可靠性测试。其低寄生电容设计（如Cob典型值约为1.5pF）有效减少了高频信号的损耗和相位失真，提升了系统的信噪比和选择性。综上所述，2SC5793是一款专为高频、低噪声和高稳定性应用而优化的高性能NPN晶体管。

2SC5793主要应用于高频模拟电路中，尤其是在需要高增益和低噪声放大的场合。典型应用包括电视和广播接收机中的高频头（RF tuner）、卫星通信系统的前置放大器、无线局域网（WLAN）设备中的射频放大模块以及各类便携式通信设备中的信号增强电路。由于其高过渡频率和优良的噪声系数，它常被用作低噪声放大器（LNA），在微弱信号接收阶段提升信噪比，防止后续电路引入过多噪声。
　　在无线基础设施中，2SC5793可用于基站或中继器的小信号放大级，特别是在UHF频段（300MHz～3GHz）内表现优异。此外，它也适用于各类传感器信号调理电路、振荡器电路以及需要高频开关功能的数字射频系统。由于其小型化封装，非常适合用于智能手机、平板电脑、物联网（IoT）设备等对空间要求严格的消费类电子产品中。
　　在工业和汽车电子领域，2SC5793可用于雷达模块、遥控装置、车载通信系统和胎压监测系统（TPMS）中的射频前端。其宽温度工作范围使其能在恶劣环境下稳定运行，满足工业级和部分汽车级应用的需求。此外，该晶体管还可用于测试测量仪器中的高频信号处理单元，如频谱分析仪或信号发生器的前置放大级。总之，2SC5793凭借其高频性能、小型封装和高可靠性，成为现代高频电子系统中不可或缺的关键元件之一。

MMBT3904, 2SC3356, BFR92A