类型：NPN
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（Pc）：200mW
　　直流电流增益（hFE）：120～475（测试条件IC=2mA, VCE=5V）
　　特征频率（fT）：200MHz
　　集电极-基极电压（VCBO）：60V
　　发射极-基极电压（VEBO）：6V
　　工作结温范围（Tj）：-55°C～+150°C
　　封装形式：SOT-323（SC-85）

2SC5775晶体管具备出色的高频放大能力，其特征频率（fT）高达200MHz，意味着该器件可以在高频环境下有效工作，适用于射频和高速信号放大场合。这一高频性能得益于器件内部结构的优化设计，包括减小基区宽度和降低寄生电容，从而提升载流子的传输速度并减少信号延迟。此外，该晶体管在低电流工作区域仍能维持较高的直流电流增益（hFE），典型值范围为120至475，这使得它在小信号放大应用中表现出色，能够有效放大微弱输入信号而无需额外的增益级数。
　　该器件的SOT-323封装不仅体积小巧，有助于节省PCB空间，还具备良好的热传导性能，能够在有限的空间内有效散热。这种封装形式特别适合用于手机、无线模块、蓝牙设备、耳机放大器等对空间要求严苛的消费类电子产品中。同时，由于其表面贴装特性，2SC5775支持自动化回流焊工艺，提高了生产效率和焊接可靠性。
　　2SC5775在温度稳定性方面也表现优异。其电气参数在-55°C至+150°C的宽结温范围内变化较小，确保了在极端环境下的稳定运行。例如，在高温环境下，器件的漏电流增长被有效抑制，避免了因热失控导致的性能下降或损坏。此外，该晶体管具有较低的饱和压降（VCE(sat)），在开关应用中可减少导通损耗，提高系统能效。
　　值得一提的是，2SC5775的设计充分考虑了电磁兼容性（EMC）和噪声抑制能力。其内部结构减少了高频噪声的产生与传播，适合用于对信号纯净度要求较高的音频前置放大器或传感器信号调理电路中。综合来看，2SC5775是一款兼具高性能、小尺寸与高可靠性的通用高频NPN晶体管，适用于多种精密模拟和数字开关电路场景。

2SC5775广泛应用于高频小信号放大电路，如无线通信系统中的射频前端放大器、接收机低噪声放大器（LNA）以及调制解调电路。其高fT值和优良的增益特性使其在GHz以下频段内具有良好的信号放大能力，适合用于Wi-Fi模块、ZigBee、蓝牙和IoT无线收发器中。
　　在消费类电子产品中，该晶体管常用于便携式音频设备的前置放大级，例如耳机放大器、麦克风信号放大器和小型扬声器驱动电路。由于其低失真和高线性度特性，能够提供清晰的音频输出，提升音质表现。
　　此外，2SC5775也可作为高速开关使用，应用于数字逻辑接口电路、LED驱动、继电器控制和电源管理模块中的信号切换功能。其快速的开关响应时间和低饱和压降有助于提高系统响应速度并降低功耗。
　　工业控制领域中，该器件可用于传感器信号调理电路，如温度、压力或光敏传感器的微弱信号放大。其稳定的增益特性和宽温度工作范围使其在恶劣工业环境中依然保持可靠性能。
　　在汽车电子系统中，2SC5775可用于车载信息娱乐系统的音频处理单元或车身控制模块中的信号放大与切换功能，满足车规级应用对可靠性和耐久性的要求。