类型：NPN
　　集电极-发射极击穿电压（VCEO）：50V
　　集电极-基极击穿电压（VCBO）：70V
　　发射极-基极击穿电压（VEBO）：4V
　　集电极最大持续电流（IC）：150mA
　　峰值集电极电流（ICM）：300mA
　　最大耗散功率（PC）：200mW
　　直流电流增益（hFE）：70 - 700（取决于测试条件）
　　过渡频率（fT）：8GHz
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C

2SC5696晶体管具备出色的高频性能，其典型过渡频率（fT）高达8GHz，使其非常适合用于高频小信号放大电路，如射频前端模块、无线收发器中的低噪声放大器（LNA）等。这种高fT值意味着该器件可以在GHz级别的频率下仍保持良好的增益特性，从而确保信号不失真地被放大。
　　该晶体管的直流电流增益（hFE）范围宽广，从最低70到最高700，表明其在不同偏置条件下均能提供稳定的放大能力，适用于多种偏置配置和自动增益控制电路设计。同时，这种宽范围的hFE也允许制造商通过分档筛选来满足不同精度等级的应用需求。
　　2SC5696采用小型表面贴装封装，具有较小的寄生电感和电容，有助于提升高频响应并减少信号反射与串扰。这使得它在高频布局中更具优势，尤其适合用于紧凑型移动通信设备，如智能手机、Wi-Fi模块、蓝牙模块等。
　　其最大集电极电流为150mA，最大耗散功率为200mW，表明该器件适用于低功耗信号处理场合，而非大功率驱动应用。然而，这一功耗水平足以支持大多数便携式设备中的小信号放大任务。
　　该器件的工作结温范围为-55°C至+150°C，展现出良好的热稳定性，可在恶劣环境条件下可靠运行。结合其符合RoHS和无铅焊接工艺的要求，2SC5696适用于全球主流电子制造流程，并可通过回流焊等方式实现自动化大批量生产。
　　此外，2SC5696具有较低的噪声系数，在小信号放大时能够有效抑制背景噪声，提高信噪比，这对于接收灵敏度要求高的通信系统尤为重要。综上所述，2SC5696是一款集高频、低噪、小型化和高可靠性于一体的通用高频NPN晶体管。

2SC5696广泛应用于高频模拟和射频电路中，特别是在需要高增益和低噪声放大的场景下表现出色。常见应用包括无线通信设备中的射频放大器、混频器和振荡器电路，例如在蓝牙模块、Zigbee无线传感器网络、FM收音机前端、无线遥控装置和IoT设备中作为低噪声放大器（LNA）使用。
　　在便携式消费电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，2SC5696常用于音频前置放大电路或麦克风信号调理电路，因其高hFE和低失真特性，能够清晰还原微弱声音信号。
　　此外，该晶体管也可用于高速开关电路，例如数字逻辑接口中的电平转换器或脉冲信号整形电路，得益于其快速的开关响应时间和低延迟特性。
　　在测试测量仪器和小型信号发生器中，2SC5696可用于构建高频振荡电路或缓冲放大器，以生成稳定且低抖动的输出信号。
　　工业控制领域中的一些远程无线监控节点也会采用此类晶体管进行信号调制与解调处理。
　　由于其小型化封装和表面贴装特性，2SC5696特别适合用于高密度PCB布局，节省空间的同时保证电气性能。总之，凡涉及小信号放大、高频处理或低功耗设计的电子系统，都是2SC5696的理想应用领域。

MMBT3904、2SC3356、2SC3838、BC847B