类型：NPN
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　集电极-基极电压（VCBO）：70V
　　发射极-基极电压（VEBO）：4V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　功耗（Pc）：200mW
　　直流电流增益（hFE）：70～700（测试条件IC=2mA）
　　特征频率（fT）：8GHz
　　工作温度范围：-55°C～+150°C
　　封装形式：S-Mini、USM、SOT-323类似小型表面贴装封装

2SC5645的核心特性之一是其高达8GHz的特征频率（fT），这使其成为高频小信号放大应用的理想选择。在射频前端电路中，如无线通信模块、FM接收机和电视调谐器中，该晶体管能够有效放大微弱信号而不会引入显著失真。其高fT值来源于精细的半导体工艺控制和优化的基区掺杂分布，使得载流子渡越时间极短，从而提升了高频响应能力。
　　另一个重要特性是其宽范围的直流电流增益（hFE），典型值在70至700之间，具体数值取决于工作电流。这种宽增益范围允许设计工程师在不同偏置条件下灵活调整电路性能，例如在低功耗待机模式下使用较低的集电极电流以节省能耗，而在需要高增益时则适当提高偏置电流。此外，较高的hFE意味着可以用较小的基极驱动电流控制较大的集电极电流，有助于简化驱动电路设计并提升整体能效。
　　2SC5645还具备良好的噪声系数表现，在几百MHz频率范围内可保持低于1.5dB的噪声水平，这对于低噪声放大器（LNA）的设计至关重要。低噪声特性结合高增益能力，使其在接收链路的第一级放大器中尤为适用，能够有效提升系统信噪比。
　　该器件的热稳定性也经过优化，能够在-55°C到+150°C的宽温度范围内稳定工作，适用于工业级和汽车级应用场景。其小型表面贴装封装不仅节省PCB空间，还降低了寄生电感和电容，有利于高频信号完整性。同时，该封装具备良好的散热性能，能够在额定功耗下长时间可靠运行。

2SC5645广泛应用于高频模拟电路中，尤其是在小信号放大和射频处理领域。一个典型的应用是在无线通信系统的射频放大器中作为低噪声放大器（LNA），用于增强接收到的微弱无线电信号，例如在Wi-Fi模块、蓝牙设备和ZigBee收发器中。由于其高增益和低噪声特性，它能够显著改善接收灵敏度。
　　在有线电视（CATV）和卫星接收设备中，2SC5645常用于宽带视频放大器，负责将高频视频信号进行不失真放大，确保图像质量的清晰与稳定。其8GHz的特征频率足以覆盖UHF频段甚至更高频率的信号处理需求。
　　此外，该晶体管也适用于高速开关电路，例如脉冲发生器、数字逻辑接口驱动器以及传感器信号调理电路。在这些应用中，快速的开关响应能力和较低的传播延迟是关键指标，而2SC5645凭借其优异的过渡频率和低输入电容能够满足这些要求。
　　消费类电子产品如智能手机、平板电脑和便携式媒体播放器中的音频前置放大电路也可能采用2SC5645，特别是在对音质要求较高的高端机型中。其线性度良好，有助于减少谐波失真，提供更纯净的声音输出。
　　工业自动化系统中的信号隔离与放大模块、光电探测器的前置放大器以及测试测量仪器中的高频探头电路也是其潜在应用领域。总之，凡是需要在高频条件下实现高增益、低噪声放大的场景，2SC5645都是一种可靠且高效的解决方案。

MMBT3904、2SC3356、BFR92A、2SC5026