2SC5624 是一款由东芝(Toshiba)公司生产的NPN型高频晶体管,主要用于射频(RF)放大和开关应用。这款晶体管以其优异的高频性能和可靠性而闻名,广泛应用于通信设备、无线模块、射频测试仪器以及需要高频处理能力的电子电路中。2SC5624采用小型化的SOT-23封装,适合表面贴装工艺,具备良好的热稳定性和频率响应。
晶体管类型:NPN型
集电极-发射极电压(VCEO):50V
集电极-基极电压(VCBO):75V
发射极-基极电压(VEBO):3V
最大集电极电流(IC):150mA
最大功耗(PD):150mW
工作温度范围:-55°C至+150°C
存储温度范围:-55°C至+150°C
过渡频率(fT):100MHz
电流增益带宽积(fT):100MHz
电流放大系数(hFE):110~800(根据档位不同)
2SC5624具备多项优异的电气特性和物理特性,适用于高频应用环境。
首先,其高过渡频率(fT)达到100MHz,使得该晶体管能够在较高的频率下保持良好的放大性能,适用于射频信号放大和处理电路。
其次,该晶体管的电流放大系数(hFE)范围较宽,从110到800不等,分为不同档位(如O档、Y档、GR档、BL档等),用户可以根据具体应用需求选择合适的型号档位,提供更精确的电流放大控制能力。
此外,2SC5624采用SOT-23封装,体积小、重量轻,适合高密度安装,同时具备良好的散热性能,有助于提高系统的稳定性和可靠性。
其最大集电极电流为150mA,最大功耗为150mW,适用于低至中功率的放大和开关应用,如音频前置放大器、射频接收机前端、数据通信接口等。
该晶体管还具备较高的击穿电压(VCEO=50V,VCBO=75V),能够在较高的电压环境下稳定工作,提高了其在各种复杂电路中的适用性。
最后,该晶体管在-55°C至+150°C的工作温度范围内均可稳定运行,适合工业级和部分军用级应用场景。
2SC5624广泛应用于多个高频电子电路领域。在通信系统中,它常用于射频放大器、混频器和振荡器中,作为信号放大的核心元件;在无线模块中,如蓝牙、Wi-Fi、Zigbee等模块的射频前端电路中,用于增强信号强度和提高接收灵敏度;在射频测试设备中,如频谱分析仪、信号发生器等,作为放大或开关元件使用;此外,它还可用于音频放大器的前置级、数字开关电路、驱动继电器或LED显示模块等场景。由于其良好的高频特性和稳定性,2SC5624也常被用作通用高频放大晶体管,替代一些老型号如2N3904、BC547等用于更高频率要求的应用中。
2N3904, BC547, 2SC3355, 2SC4049