类型：NPN晶体管
　　集电极-发射极击穿电压（VCEO）：50V
　　集电极-基极击穿电压（VCBO）：60V
　　发射极-基极击穿电压（VEBO）：5V
　　最大集电极电流（IC）：150mA
　　最大耗散功率（Pc）：200mW（具体值依封装而定）
　　直流电流增益（hFE）：70～700（测试条件IC=2mA, VCE=5V）
　　过渡频率（fT）：典型值250MHz
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-23（SC-59）或类似小型表面贴装封装

2SC5511晶体管具备出色的高频放大能力，其过渡频率（fT）高达250MHz，使其非常适合用于高频小信号放大电路，例如射频接收前端、调制解调电路以及高频振荡器中的缓冲级。该器件在低电流工作条件下仍能保持较高的电流增益，hFE范围为70至700，表明其在不同偏置条件下均可实现稳定的放大性能，适应多种偏置网络设计需求。由于采用先进的硅外延平面工艺制造，2SC5511具有较低的寄生电容和良好的开关速度，能够快速响应输入信号变化，适用于高速数字开关应用，如逻辑电平转换、脉冲信号驱动等场景。
　　该晶体管的噪声系数较低，在音频和射频前置放大器中可有效减少信号失真，提升系统信噪比，特别适合对微弱信号进行放大的应用，如麦克风前置放大、传感器信号调理等。其小型化的SOT-23封装不仅节省PCB空间，还具备良好的热传导性能和焊接可靠性，支持回流焊和波峰焊等多种表面贴装工艺，便于自动化批量生产。器件的工作温度范围宽达-55°C至+150°C，保证了在恶劣环境下的稳定性与耐久性。此外，2SC5511符合RoHS环保标准，不含铅等有害物质，适用于出口型电子产品及绿色电子制造要求。综合来看，2SC5511是一款高性能、高可靠性的通用高频NPN三极管，兼顾模拟与数字应用需求，是现代中小功率高频电路设计的理想选择之一。

2SC5511广泛应用于高频小信号放大电路中，如无线通信模块中的射频放大级、FM收音机前端放大器、蓝牙和Wi-Fi模块中的信号缓冲级等。它也常见于各类便携式电子设备，包括智能手机、平板电脑、无线耳机和物联网终端设备中，用于音频信号预处理、传感器信号放大或作为开关元件控制外围电路的通断。在消费类电子产品中，该晶体管可用于LCD背光驱动电路、按键扫描矩阵的开关控制以及电源管理单元中的逻辑切换功能。此外，在工业控制领域，2SC5511可用于光电传感器、接近开关和编码器信号调理电路中，实现快速响应和高精度信号传输。由于其优良的开关特性，也可用作脉冲宽度调制（PWM）信号的驱动级，控制LED亮度或小型继电器动作。在测试仪器和测量设备中，该器件常用于构建高输入阻抗的缓冲放大器，以避免对被测电路造成负载效应。总之，2SC5511凭借其高频性能、小型封装和稳定参数，成为众多高频模拟与混合信号系统中不可或缺的基础元器件。

MMBT3904
　　FMMT213
　　KSC3503