类型：NPN
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　集电极-基极电压（VCBO）：70V
　　发射极-基极电压（VEBO）：4V
　　集电极电流（IC）：150mA
　　功率耗散（Ptot）：200mW
　　直流电流增益（hFE）：70 - 700（测试条件IC = 2mA, VCE = 5V）
　　过渡频率（fT）：8GHz
　　噪声系数（NF）：1.3dB（典型值，f = 1GHz）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：S-Mini（超小型表面贴装封装）

2SC5415E-TD-E具备出色的高频放大能力，其过渡频率（fT）高达8GHz，意味着该晶体管能够在GHz级别的射频和微波频段内有效工作，适用于UHF、L-band乃至S-band的低噪声放大器（LNA）设计。这一特性使其成为无线通信系统、Wi-Fi模块、蓝牙收发器和移动终端前端电路的理想选择。高频性能的实现得益于其精细的硅外延工艺和优化的内部结构设计，能够最小化寄生电容和引线电感，从而提升高频响应的一致性和稳定性。
　　该器件具有较低的噪声系数，典型值在1.3dB左右（在1GHz频率下测量），这对于接收机前端的信号预处理至关重要，可以显著提高系统的信噪比和灵敏度。在弱信号环境下，如GPS接收、蜂窝网络边缘覆盖区域通信等场景中，低噪声特性有助于增强信号还原能力，减少误码率，提升整体通信质量。此外，宽范围的直流电流增益（hFE）分布在70至700之间，表明其在不同工作电流下仍能维持较高的放大倍数，适应多种偏置条件和电路拓扑需求。
　　2SC5415E-TD-E采用小型表面贴装封装（S-Mini），体积小巧，便于在空间受限的应用中进行高密度布局，同时支持回流焊工艺，兼容现代SMT生产线。其热阻特性经过优化，在200mW的额定功耗下仍能保持良好的散热性能，确保长时间稳定运行。器件的工作结温可达+150°C，具备较强的环境适应能力，可在恶劣温度条件下可靠工作，适用于车载电子、工业传感等严苛应用场景。此外，该晶体管符合RoHS指令要求，不含铅和其他有害物质，符合当前绿色电子产品的设计趋势，有利于产品通过国际环保认证。

2SC5415E-TD-E主要应用于高频小信号放大电路，特别是在射频（RF）和微波领域表现出色。它常用于无线通信设备中的低噪声放大器（LNA）模块，例如在智能手机、平板电脑、物联网（IoT）终端中作为接收链路的第一级放大器，用于放大来自天线的微弱射频信号，同时引入尽可能少的附加噪声，以确保后续混频和解调过程的准确性。
　　在无线局域网（WLAN）系统中，如支持IEEE 802.11a/b/g/n/ac标准的路由器和接入点设备中，该晶体管可用于2.4GHz和5GHz频段的信号放大，提供稳定的增益和良好的线性度。此外，在蓝牙、ZigBee、LoRa等短距离无线通信协议中，2SC5415E-TD-E也可作为射频前端的核心元件，帮助提升传输距离和连接稳定性。
　　除了通信领域，该器件还广泛用于电视调谐器、卫星接收机、FM/AM收音机等消费类电子产品中的高频信号处理部分。在测试仪器和测量设备中，如频谱分析仪、信号发生器的输入级，其高增益和低噪声特性有助于提高测量精度。此外，由于其快速开关能力，也可用于高速数字开关电路或脉冲放大电路中，尤其是在对上升时间和延迟时间有严格要求的应用中表现优异。总体而言，2SC5415E-TD-E凭借其高频、低噪、小封装的优势，已成为现代高频模拟电路中不可或缺的关键元器件之一。

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　　 "2SC5415",
　　 "MMBT3904",
　　 "2N3904",
　　 "BFR92A",
　　 "BFQ67",
　　 "KSC5415F"
　　]