类型：NPN
　　集电极-发射极击穿电压（VCEO）：30V
　　集电极电流（IC）：1.5A
　　功率耗散（PD）：2W
　　直流电流增益（hFE）：最小70，典型值140（测试条件：IC=100mA）
　　特征频率（fT）：超过200MHz
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-89
　　增益带宽积：约250MHz
　　噪声系数：典型值2.5dB（在1GHz，VCE=10V）
　　饱和电压（VCE(sat)）：典型值0.3V（IC=1A，IB=50mA）

2SC5373晶体管具备出色的高频放大能力和稳定的电气性能，适用于多种射频和中等功率模拟应用。其核心优势之一是在高频工作状态下仍能保持较高的功率增益，这得益于其优化的基区设计和低寄生参数结构。在典型的UHF频段（300MHz～1GHz）应用中，2SC5373能够提供高达16dB以上的功率增益，确保信号在经过放大后仍保持良好的信噪比和线性度。此外，该器件的输入和输出阻抗特性较为适中，便于与50Ω系统进行匹配，从而简化外围匹配网络的设计。
　　另一个显著特性是其良好的热稳定性和高可靠性。2SC5373采用SOT-89这种具有良好散热能力的表面贴装封装，能够在持续高功率运行时有效将热量传导至PCB，避免因局部过热导致性能下降或器件损坏。其最大结温可达150°C，配合适当的散热设计，可长期稳定工作于高温环境中。此外，该晶体管的直流电流增益（hFE）具有较窄的分布范围，批次一致性好，有利于大规模生产中的电路调试和良率控制。
　　在动态性能方面，2SC5373展现出较低的噪声系数和较高的截止频率（fT），使其不仅适用于功率放大，也可用于低噪声前置放大级。其饱和压降较低，在大电流工作状态下功耗相对较小，有助于提升整体电源效率。同时，该器件对电压瞬变和静电放电（ESD）具有一定的耐受能力，增强了在复杂电磁环境下的鲁棒性。综合来看，2SC5373是一款兼顾高频性能、热稳定性与可靠性的高性能NPN射频晶体管，适用于对性能要求较高的通信和工业应用场合。

2SC5373广泛应用于各类高频和射频电子系统中，尤其适合需要中等功率放大的无线通信设备。典型应用场景包括蜂窝通信基站的末级或驱动级功率放大器，特别是在GSM、CDMA、LTE等移动通信系统的UHF频段模块中表现优异。由于其良好的线性度和高增益特性，该晶体管可用于构建高保真度的射频放大链路，确保信号在传输过程中保持完整性。
　　此外，2SC5373也常用于有线电视（CATV）分配系统中的宽带放大器模块，支持多频道信号的同时放大，且失真较低，能够满足高质量视频和数据传输的需求。在工业、科学和医疗（ISM）频段设备中，如无线传感器网络、远程监控系统和RFID读写器，该器件同样发挥着重要作用，提供稳定可靠的射频信号放大功能。
　　在业余无线电和短距离通信设备中，2SC5373因其易于使用和良好的匹配特性而受到工程师青睐。它还可用于各种类型的振荡器电路、调制解调单元以及射频驱动级设计中。由于其封装小巧且支持自动化贴片生产，因此非常适合用于紧凑型通信模块和便携式无线终端设备。总体而言，只要涉及300MHz以上频率范围内的模拟信号放大需求，2SC5373都是一个值得考虑的高性能分立器件解决方案。

MPSA44
　　FMMT449
　　BCX56-40
　　KSC5373