类型：NPN
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　集电极-基极电压（VCBO）：70V
　　发射极-基极电压（VEBO）：6V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　功率耗散（Pc）：200mW
　　直流电流增益（hFE）：70 - 700
　　过渡频率（fT）：8GHz
　　工作结温（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-89

2SC4695-TB晶体管具备出色的高频响应能力，其过渡频率高达8GHz，使其非常适合用于高频放大器和射频信号处理电路中。这一特性使得该器件能够在GHz级别的无线通信系统中有效放大微弱信号，同时保持较低的相位失真和群延迟波动。器件的直流电流增益范围宽广，为70至700，意味着在不同偏置条件下都能提供稳定的放大倍数，适应多种电路设计需求，尤其是在需要高增益一致性的应用场景中表现出色。
　　该晶体管采用了先进的半导体制造工艺，确保了器件内部载流子迁移效率的提升，从而实现了快速的开关响应速度和低传播延迟。这使得2SC4695-TB不仅适用于模拟放大，也能胜任高速数字开关任务，例如在脉冲信号发生器、逻辑驱动级和时钟缓冲电路中发挥关键作用。此外，由于其最大集电极电流为100mA，功率耗散为200mW，能够在轻负载条件下高效运行，避免过热问题，提高了系统的长期稳定性。
　　热稳定性方面，2SC4695-TB的工作结温范围从-55°C到+150°C，覆盖了绝大多数工业与消费类电子产品的运行环境。即使在高温或低温极端条件下，器件仍能维持良好的电气特性，减少因温度漂移引起的性能下降。封装采用SOT-89小型化设计，不仅节省PCB空间，还具备较好的散热性能，有助于将内部热量及时传导至外部环境，进一步增强可靠性。此外，该封装形式支持自动化贴片生产，提升了大规模制造的良率和一致性。
　　在电磁兼容性（EMC）方面，该晶体管表现出较低的寄生电容和电感，有助于抑制高频噪声的耦合与辐射，提升整体系统的抗干扰能力。这对于射频前端模块、无线收发器和高灵敏度传感器接口尤为重要。同时，器件符合RoHS标准，不含铅、镉等有害物质，支持无铅回流焊工艺，符合现代环保法规要求，适用于出口型电子产品和绿色能源项目中的控制单元。

2SC4695-TB广泛应用于高频小信号放大电路，如无线通信系统中的射频放大器、调制解调模块和天线前端低噪声放大器（LNA）。其高增益和低噪声特性使其成为接收机链路中第一级放大的理想选择，能够有效提升信噪比，延长通信距离。此外，该器件也常用于音频前置放大电路，特别是在微型麦克风输入级中，可实现对微弱声音信号的精确捕捉与放大。
　　在数字电路领域，2SC4695-TB可用于高速开关应用，如逻辑门驱动、脉冲整形电路和时钟信号缓冲器。其快速的开关响应能力可以保证数字信号的完整性，减少上升和下降时间带来的畸变，适用于需要精确时序控制的嵌入式系统和微控制器外围电路。
　　该晶体管还常见于便携式电子设备中，如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和可穿戴设备，用于电源管理模块中的电平转换或LED背光驱动。其小型SOT-89封装非常适合高密度布局，同时功耗较低，有助于延长电池续航时间。
　　在工业控制与汽车电子中，2SC4695-TB可用于传感器信号调理电路，例如温度、压力或加速度传感器的微弱信号放大。其宽温度工作范围确保在恶劣环境下仍能可靠运行。此外，也可用于隔离式接口电路、继电器驱动和DC-DC转换器中的反馈控制环节，提供稳定的电流增益和响应速度。