类型：NPN
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　最大集电极电流（IC）：150mA
　　最大耗散功率（PD）：200mW
　　直流电流增益（hFE）：70～700（典型值随测试条件变化）
　　过渡频率（fT）：8GHz
　　集电极-基极电容（Ccb）：1.5pF（@Vcb=6V, f=1MHz）
　　噪声系数（NF）：1.0dB（@f=1GHz, Vce=3V, Ic=10mA）
　　封装形式：S-Mini（超小型表面贴装）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

2SC4548G-E-AB3-R具备优异的高频性能，其过渡频率高达8GHz，使其在GHz级别的射频应用中表现出色。这一特性使得该晶体管非常适合用于高频放大器设计，尤其是在1GHz以上的频段，例如在蜂窝通信系统、Wi-Fi前端模块和卫星接收设备中，能够实现对微弱射频信号的有效放大。高频响应能力得益于器件内部结构的优化设计，包括较短的载流子传输路径和低寄生电容，从而减少了高频下的信号衰减和相位失真。
　　该器件具有非常低的噪声系数，典型值为1.0dB（在1GHz、Vce=3V、Ic=10mA条件下测量），这表明其在放大信号的同时引入的额外噪声极小。低噪声特性对于接收机前端放大器至关重要，因为它直接影响整个系统的信噪比和接收灵敏度。因此，2SC4548G-E-AB3-R常被用作LNA（低噪声放大器）的核心元件，以提升无线通信系统的整体性能。
　　其直流电流增益（hFE）范围宽广，从70到700不等，覆盖多种偏置条件下的应用需求。这种宽泛的增益分布允许设计师在不同工作点下灵活调整电路性能，兼顾增益稳定性与功耗控制。同时，器件在小信号工作状态下表现出良好的线性度，有助于减少非线性失真，提高信号保真度。
　　2SC4548G-E-AB3-R采用S-Mini小型表面贴装封装，体积小巧，有利于节省PCB空间，适应现代电子产品小型化趋势。该封装还具备良好的热传导性能和电气连接稳定性，适合回流焊工艺，满足大规模自动化生产的需求。此外，器件符合RoHS环保要求，不含铅和其他有害物质，适用于全球市场的电子产品制造。

2SC4548G-E-AB3-R主要应用于高频和射频电子系统中，尤其适合作为小信号放大器的核心元件。在无线通信领域，它广泛用于Wi-Fi模块、蓝牙设备、ZigBee收发器以及移动电话中的射频前端电路，承担低噪声放大（LNA）功能，以增强接收到的微弱信号并抑制后续电路引入的噪声。其高增益带宽积和低噪声特性使其在这些应用中表现卓越。
　　在广播接收系统中，如FM收音机、数字音频广播（DAB）和电视调谐器，该晶体管可用于中频或射频放大级，提供稳定的增益响应和良好的选择性。此外，在测试测量仪器和射频传感器中，2SC4548G-E-AB3-R也可作为高频信号缓冲器或驱动级使用，确保信号完整性。
　　由于其快速开关能力，该器件还可用于高速数字开关电路，特别是在需要高频脉冲处理的场合，如时钟信号调理、脉冲整形电路等。其150mA的连续集电极电流能力虽然不足以驱动大功率负载，但在小功率信号切换场景中仍具实用性。
　　在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑、无线耳机和物联网（IoT）终端设备中，2SC4548G-E-AB3-R因其小型封装和高性能特点而被广泛集成于射频模组内，支持多频段信号处理需求。此外，工业控制、汽车电子中的远程无钥匙进入系统（RKE）和胎压监测系统（TPMS）也可能采用此类高频晶体管进行射频信号处理。

MMBT3904
　　2SC3356
　　BFR92A
　　BFQ540