时间：2025/12/25 11:47:41
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2SC4505T100P是一款由东芝（Toshiba）公司生产的NPN型双极性晶体管（Bipolar Junction Transistor, BJT），主要用于高频放大和开关应用。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有优良的高频特性和稳定的电气性能，适用于需要高增益和低噪声表现的电路设计。其封装形式为小型表面贴装型（S-Mini），有助于节省PCB空间并提升组装效率，广泛应用于便携式通信设备、射频模块、音频前置放大器以及各类消费类电子产品中。2SC4505T100P的设计注重热稳定性和可靠性，在正常工作条件下可提供长期稳定的运行表现。该晶体管经过优化，能够在低电流状态下实现较高的直流电流增益（hFE），同时具备较低的集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)），从而有效降低功耗，提高系统能效。此外，该器件符合RoHS环保标准，不含铅等有害物质，适合无铅焊接工艺，满足现代电子产品的环保要求。作为一款通用高频晶体管，2SC4505T100P在替代传统通孔插装器件方面表现出色，是现代高密度印刷电路板设计中的理想选择之一。
类型：NPN晶体管
集电极-发射极击穿电压（VCEO）：50V
集电极-基极击穿电压（VCBO）：60V
发射极-基极击穿电压（VEBO）：4V
集电极最大持续电流（IC）：150mA
总耗散功率（PT）：150mW
直流电流增益（hFE）：70～700（测试条件：VCE=6V, IC=5mA）
特征频率（fT）：200MHz
工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
存储温度范围（Tstg）：-55℃ ~ +150℃
封装类型：S-Mini (USMT)
极性：NPN
2SC4505T100P具备优异的高频响应能力，其特征频率（fT）高达200MHz，使其非常适合用于高频小信号放大电路，例如无线通信前端、FM收音模块、电视调谐器及其它射频信号处理单元。该晶体管在低电流工作区域仍能保持较高的直流电流增益，典型hFE值范围为70至700，这种宽泛且稳定的增益特性有助于简化偏置电路设计，并提升整体电路的稳定性与一致性。
该器件采用S-Mini超小型表面贴装封装，尺寸紧凑，适合高密度PCB布局，尤其适用于空间受限的便携式电子设备，如智能手机、蓝牙耳机、可穿戴设备等。其封装结构具备良好的热传导性能和机械强度，能够承受回流焊等自动化装配工艺，确保批量生产时的高良率和可靠性。
2SC4505T100P的集电极-发射极饱和电压较低，在IC=10mA、IB=1mA条件下，VCE(sat)典型值仅为0.1V，这表明其在开关模式下具有较小的导通损耗，有利于提高电源效率并减少发热问题。这一特性使其不仅可用于线性放大，也可胜任高速开关任务，如脉冲信号控制、逻辑驱动电路等。
该晶体管具有良好的温度稳定性，其电气参数随温度变化较小，能够在-55℃到+150℃的宽温度范围内可靠工作，适用于工业级和部分汽车电子应用场景。同时，器件内部结构经过优化，具备一定的抗静电能力（ESD protection），提升了使用过程中的安全性。所有材料均符合RoHS指令要求，支持绿色环保制造流程。
2SC4505T100P广泛应用于各类需要高频小信号放大的电子系统中。常见用途包括移动通信设备中的射频放大器、Wi-Fi模块、Zigbee和蓝牙无线收发前端电路，用于增强微弱信号的接收灵敏度。此外，它也常被用作音频信号链路中的前置放大器，特别是在微型麦克风放大电路或耳机驱动电路中发挥重要作用。
在消费类电子产品中，该晶体管可用于LCD背光驱动、DC-DC转换器的开关控制、传感器信号调理电路以及遥控器红外发射驱动电路。由于其快速的开关响应能力和低输入驱动需求，特别适合作为微控制器输出信号的缓冲或电平转换元件。
在工业控制领域，2SC4505T100P可用于光电传感器、接近开关、编码器接口电路中进行信号整形与放大。其高增益和低噪声特性也有助于提升测量精度。此外，在汽车电子系统中，可用于车身控制模块、车载娱乐系统的辅助信号处理单元等非高功率场景。
得益于其小型化封装和高性能表现，该器件还适用于无人机、智能家居节点、物联网终端等新兴智能硬件产品中，承担信号切换、阻抗匹配和级间耦合等功能，是现代模拟与混合信号电路设计中的关键组件之一。
MMBT3904
2SC3838
2SC4504
KSC4505F
