时间：2025/8/9 5:44:38
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2SC4275-01 是一款由东芝（Toshiba）制造的高频、低噪声双极性NPN晶体管。该器件专为射频（RF）和高频应用而设计，特别适用于无线通信设备中的低噪声放大器（LNA）和混频器等高频电路。2SC4275-01 采用了先进的硅外延平面工艺，确保了在高频条件下仍具有优异的噪声性能和增益特性。
类型：NPN双极型晶体管
集电极-发射极电压（Vceo）：15V
集电极-基极电压（Vcbo）：30V
发射极-基极电压（Vebo）：2V
最大集电极电流（Ic）：50mA
最大功耗（Ptot）：150mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
过渡频率（fT）：12GHz
噪声系数（NF）：0.65dB（典型值，1GHz，Ic=10mA）
电流增益带宽（fT）：12GHz
封装形式：SOT-343（SC-70）
2SC4275-01 是一款专为高频应用优化的NPN晶体管，其核心特性之一是极低的噪声系数，典型值为0.65dB，在1GHz频率和10mA集电极电流条件下表现优异。这使其成为低噪声放大器（LNA）的理想选择，尤其是在无线通信、蓝牙、Wi-Fi、GPS等射频前端电路中。
其次，该晶体管的过渡频率（fT）高达12GHz，能够在高频环境下维持良好的增益性能，适用于GHz级别的射频放大与混频应用。器件的封装形式为SOT-343（SC-70），这是一种小型表面贴装封装，便于在高密度PCB设计中使用，同时具备良好的高频引线布局性能。
此外，2SC4275-01 具有较宽的电压工作范围，集电极-发射极电压（Vceo）可达15V，集电极-基极电压（Vcbo）则为30V，使其在多种电源条件下均能稳定运行。最大集电极电流为50mA，最大功耗为150mW，适用于低功耗、高效率的射频电路设计。
该晶体管的工作温度范围为-55°C至+150°C，具备良好的热稳定性和环境适应能力，适用于工业级和车载应用。综合来看，2SC4275-01 是一款性能优异、适用于高频、低噪声场景的晶体管，广泛应用于现代通信系统中。
2SC4275-01 主要应用于射频（RF）前端电路，特别是在低噪声放大器（LNA）设计中表现优异。其主要应用场景包括无线通信模块（如Wi-Fi、蓝牙、Zigbee）、GPS接收器、移动电话前端电路、FM接收器、无线局域网（WLAN）设备以及各种便携式通信设备中的高频信号放大与处理电路。此外，该晶体管还可用于混频器、振荡器和射频开关等高频模拟电路设计。
BFU520, BFG21, 2SC3355, 2SC4279
