2SC4197TI-TL-E 是一款由东芝(Toshiba)制造的NPN型晶体管,属于高频放大器应用的双极型晶体管(BJT)。该晶体管专为射频(RF)和高速开关应用设计,具备良好的高频响应和稳定性。其封装形式为SOT-23(TO-236AB),适用于表面贴装技术(SMT),广泛应用于通信设备、射频模块和消费类电子产品中。
晶体管类型:NPN
最大集电极-发射极电压(VCEO):50V
最大集电极电流(IC):150mA
最大功耗(PD):200mW
最大工作频率(fT):100MHz
电流增益(hFE):110至800(根据等级分类)
封装类型:SOT-23(TO-236AB)
工作温度范围:-55°C至+150°C
2SC4197TI-TL-E 晶体管具有多项优异特性,使其在高频电子电路中表现突出。首先,其高截止频率(fT)达到100MHz,适用于射频放大、振荡器和高速开关电路。其次,该晶体管在不同工作条件下保持稳定的电流增益(hFE),其hFE值可根据等级分为多个范围(如O档:110-220,Y档:180-390,GR档:340-700,BL档:600-800),便于用户根据具体需求选择合适的型号。此外,2SC4197TI-TL-E 采用SOT-23封装,体积小巧,便于集成在高密度PCB布局中,并具有良好的热稳定性和可靠性。其最大集电极-发射极电压为50V,最大集电极电流为150mA,能够满足中功率放大和开关应用的需求。另外,该器件符合RoHS环保标准,适用于无铅焊接工艺,符合现代电子制造的环保要求。
在电气性能方面,该晶体管的基极-发射极电压(VBE)典型值约为1.0V(在IC=150mA时),保证了较低的驱动电压需求。其集电极-基极击穿电压(VCBO)为50V,发射极-基极击穿电压(VEBO)为5V,提供了良好的耐压能力。同时,其最大功耗为200mW,在标准工作条件下可有效散热,确保长时间运行的稳定性。这些特性使2SC4197TI-TL-E 成为高频放大器、射频信号处理、音频前置放大、逻辑电平转换以及各类低功率开关电路的理想选择。
2SC4197TI-TL-E 主要应用于射频(RF)和模拟电子电路中,尤其适用于需要高频响应和稳定增益的场景。典型应用包括无线通信模块中的射频放大器、振荡器和谐波滤波器;音频放大电路中的前置放大级;数字电路中的逻辑电平转换和开关控制;以及各类便携式电子设备中的低功耗信号处理电路。此外,该晶体管还可用于传感器接口电路、电压调节器和驱动小型继电器或LED阵列等场景。
BCX70系列、2N3904、2SC3355、2SC4199