类型：NPN BJT
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50 V
　　集电极-基极电压（VCBO）：60 V
　　发射极-基极电压（VEBO）：4 V
　　集电极电流（IC）：100 mA
　　总耗散功率（PT）：200 mW
　　直流电流增益（hFE）：70～700（典型值取决于测试条件）
　　特征频率（fT）：12 GHz
　　噪声系数（NF）：0.5 dB（典型值，@ f = 1 GHz, VCE = 3 V, IC = 10 mA）
　　封装形式：ML6 (S-Mini)
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C

2SC4081UBTLQ具备卓越的高频性能和低噪声特性，是专为射频应用优化的关键元器件。其高达12 GHz的特征频率（fT）意味着该晶体管可以在微波频段内有效工作，适用于GSM、CDMA、WCDMA、LTE等多种移动通信系统的接收链路放大器。在1 GHz频率下，典型噪声系数仅为0.5 dB，表明其对微弱信号具有极强的捕捉能力，能够显著提升接收机的灵敏度。同时，该器件在低偏置电流条件下仍能保持良好的增益线性度和噪声表现，有助于实现节能设计。
　　该晶体管的直流电流增益（hFE）范围宽广，典型值在70至700之间，可根据具体电路需求进行筛选匹配，提升了生产良率与系统一致性。其最大集电极电流为100 mA，适合中等功率放大应用，且在VCE=3V、IC=10mA的标准工作点下表现出最佳噪声与增益平衡。热稳定性方面，器件采用了高可靠性的芯片结构与封装材料，确保在长期运行或温度波动环境下性能稳定。
　　ML6小型封装不仅节省PCB空间，还降低了寄生电感和电容的影响，有利于高频电路布局。此外，产品经过严格的可靠性测试，包括高温反向偏压（HTRB）、高温存储寿命（HTSL）和温度循环试验，保证了在复杂电磁环境下的耐用性。整体而言，2SC4081UBTLQ是一款面向高性能射频前端设计的低噪声晶体管，兼顾高频响应、低噪声、小尺寸与环保合规性，广泛应用于现代无线通信模块中。

2SC4081UBTLQ主要用于各类移动通信设备中的射频低噪声放大器（LNA）电路，常见于智能手机、平板电脑、无线数据卡、物联网（IoT）终端等便携式无线设备。它适用于蜂窝通信频段如GSM900、DCS1800、PCS1900、3G WCDMA及部分4G LTE频段的接收路径信号放大。由于其优异的噪声性能和高增益特性，该晶体管可有效增强微弱射频信号，提高接收系统的信噪比和整体灵敏度。
　　此外，该器件也适用于其他需要高频、低噪声放大的应用场景，例如Wi-Fi模块（2.4 GHz和5 GHz频段）、蓝牙通信模块、GPS/GLONASS卫星导航接收机前端、无线传感器网络节点以及小型化射频收发模块。在这些系统中，2SC4081UBTLQ常被用作第一级放大器，以最小化后续电路引入的噪声影响。
　　得益于其小型ML6封装，该晶体管特别适合高密度贴装的多层印刷电路板设计，满足现代消费类电子产品对轻薄化和小型化的需求。同时，其稳定的温度特性和抗干扰能力，使其在车载通信模块、工业无线接口等领域也有潜在应用价值。总之，凡是需要在GHz频段实现低噪声、高增益放大的场合，2SC4081UBTLQ都是一种可靠且高效的选择。

2SC4081FBLQ
　　2SC4081UBLQ
　　MMBT9113
　　MPSH10
　　FMMT211